半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2008年
5期
388-390,421
,共4页
黄建浩%李东升%王明华%杨德仁
黃建浩%李東升%王明華%楊德仁
황건호%리동승%왕명화%양덕인
富硅氮化硅%光致发光%电致发光%缺陷态能级
富硅氮化硅%光緻髮光%電緻髮光%缺陷態能級
부규담화규%광치발광%전치발광%결함태능급
采用等离子体化学气相沉积法(PECVD)制备了三种不同化学计量比的富Si的SiN薄膜,并对其光致发光及电致发光性能进行了研究.研究发现,随着Si含量的增加,薄膜的光致发光峰位从460 nm红移到610 nm,且半高宽不断增加;而薄膜的电致发光峰位并没有随着Si含量的改变而变化,始终处于600 nm附近,这主要是由于富Si的SiN薄膜的光致发光与电致发光的机理是不同的.光致发光来源于SiN薄膜缺陷态能级之间辐射复合,而电致发光则是由注入的裁流子先迟豫到较低的缺陷态能级,然后经过辐射复合而得到.
採用等離子體化學氣相沉積法(PECVD)製備瞭三種不同化學計量比的富Si的SiN薄膜,併對其光緻髮光及電緻髮光性能進行瞭研究.研究髮現,隨著Si含量的增加,薄膜的光緻髮光峰位從460 nm紅移到610 nm,且半高寬不斷增加;而薄膜的電緻髮光峰位併沒有隨著Si含量的改變而變化,始終處于600 nm附近,這主要是由于富Si的SiN薄膜的光緻髮光與電緻髮光的機理是不同的.光緻髮光來源于SiN薄膜缺陷態能級之間輻射複閤,而電緻髮光則是由註入的裁流子先遲豫到較低的缺陷態能級,然後經過輻射複閤而得到.
채용등리자체화학기상침적법(PECVD)제비료삼충불동화학계량비적부Si적SiN박막,병대기광치발광급전치발광성능진행료연구.연구발현,수착Si함량적증가,박막적광치발광봉위종460 nm홍이도610 nm,차반고관불단증가;이박막적전치발광봉위병몰유수착Si함량적개변이변화,시종처우600 nm부근,저주요시유우부Si적SiN박막적광치발광여전치발광적궤리시불동적.광치발광래원우SiN박막결함태능급지간복사복합,이전치발광칙시유주입적재류자선지예도교저적결함태능급,연후경과복사복합이득도.
