强激光与粒子束
彊激光與粒子束
강격광여입자속
HIGH POWER LASER AND PARTICLEBEAMS
2011年
3期
801-805
,共5页
黄绍艳%刘敏波%唐本奇%肖志刚%王祖军%张勇
黃紹豔%劉敏波%唐本奇%肖誌剛%王祖軍%張勇
황소염%류민파%당본기%초지강%왕조군%장용
光电耦合器%光敏晶体管%反应堆中子%电流传输比%饱和压降
光電耦閤器%光敏晶體管%反應堆中子%電流傳輸比%飽和壓降
광전우합기%광민정체관%반응퇴중자%전류전수비%포화압강
选择3种典型光电耦合器开展了反应堆中子辐照实验,中子注量为3×1011～5×1012 cm-2时,位移效应导致电流传输比下降,饱和压降提高.发光器件相同,探测器为Si PIN光电二极管的光电耦合器比探测器为Si NPN光敏晶体管的光电耦合器的初始电流传输比要小,但其抗位移损伤能力更强.探测器均为Si NPN光敏晶体管,发光器件为异质结LED要比硅两性掺杂LED的光电耦合器的电流传输比抗位移损伤能力提高2个量级;以光敏晶体管为探测器的光电耦合器,在较大的正向电流和输出负载电阻条件下工作可提高抗辐射水平.此外,光电耦合器的位移损伤存在加电退火效应.
選擇3種典型光電耦閤器開展瞭反應堆中子輻照實驗,中子註量為3×1011～5×1012 cm-2時,位移效應導緻電流傳輸比下降,飽和壓降提高.髮光器件相同,探測器為Si PIN光電二極管的光電耦閤器比探測器為Si NPN光敏晶體管的光電耦閤器的初始電流傳輸比要小,但其抗位移損傷能力更彊.探測器均為Si NPN光敏晶體管,髮光器件為異質結LED要比硅兩性摻雜LED的光電耦閤器的電流傳輸比抗位移損傷能力提高2箇量級;以光敏晶體管為探測器的光電耦閤器,在較大的正嚮電流和輸齣負載電阻條件下工作可提高抗輻射水平.此外,光電耦閤器的位移損傷存在加電退火效應.
선택3충전형광전우합기개전료반응퇴중자복조실험,중자주량위3×1011～5×1012 cm-2시,위이효응도치전류전수비하강,포화압강제고.발광기건상동,탐측기위Si PIN광전이겁관적광전우합기비탐측기위Si NPN광민정체관적광전우합기적초시전류전수비요소,단기항위이손상능력경강.탐측기균위Si NPN광민정체관,발광기건위이질결LED요비규량성참잡LED적광전우합기적전류전수비항위이손상능력제고2개량급;이광민정체관위탐측기적광전우합기,재교대적정향전류화수출부재전조조건하공작가제고항복사수평.차외,광전우합기적위이손상존재가전퇴화효응.
