微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2000年
2期
100-102
,共3页
硅双极器件%高频大功率器件%深阱终端结构
硅雙極器件%高頻大功率器件%深阱終耑結構
규쌍겁기건%고빈대공솔기건%심정종단결구
提出了一种能同时提高硅双极器件频率和功率的新技术--具有深阱终端结构的新型梳状深阱结构技术.采用MEDICI模拟分析表明,该技术可将双极器件的击穿电压BVCB0提高到平行平面结的90%以上;可减小寄生效应和漏电流,有助于提高小电流β0;可适当地增加集电区掺杂浓度,减小τd,同时提高ICM和P0.采用该技术后,有效集电结的面积约为无阱器件的50%,结电容较小,截止频率可提高一倍以上.该技术大大缓解了频率和功率的矛盾,提高了器件的可靠性.
提齣瞭一種能同時提高硅雙極器件頻率和功率的新技術--具有深阱終耑結構的新型梳狀深阱結構技術.採用MEDICI模擬分析錶明,該技術可將雙極器件的擊穿電壓BVCB0提高到平行平麵結的90%以上;可減小寄生效應和漏電流,有助于提高小電流β0;可適噹地增加集電區摻雜濃度,減小τd,同時提高ICM和P0.採用該技術後,有效集電結的麵積約為無阱器件的50%,結電容較小,截止頻率可提高一倍以上.該技術大大緩解瞭頻率和功率的矛盾,提高瞭器件的可靠性.
제출료일충능동시제고규쌍겁기건빈솔화공솔적신기술--구유심정종단결구적신형소상심정결구기술.채용MEDICI모의분석표명,해기술가장쌍겁기건적격천전압BVCB0제고도평행평면결적90%이상;가감소기생효응화루전류,유조우제고소전류β0;가괄당지증가집전구참잡농도,감소τd,동시제고ICM화P0.채용해기술후,유효집전결적면적약위무정기건적50%,결전용교소,절지빈솔가제고일배이상.해기술대대완해료빈솔화공솔적모순,제고료기건적가고성.
