功能材料
功能材料
공능재료
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS
2004年
5期
662-664
,共3页
陈城钊%林璇英%林揆训%余云鹏%余楚迎
陳城釗%林璇英%林揆訓%餘雲鵬%餘楚迎
진성쇠%림선영%림규훈%여운붕%여초영
多晶硅薄膜%氢等离子体加热%退火工艺%晶化度
多晶硅薄膜%氫等離子體加熱%退火工藝%晶化度
다정규박막%경등리자체가열%퇴화공예%정화도
利用氢等离子体加热晶化n+-a-Si∶H/a-Si∶H薄膜,可以在450℃的衬底温度下制备多晶硅薄膜.采用X射线衍射谱、Raman散射谱和扫描电子显微镜等手段进行表征和分析,研究了不同退火条件对薄膜晶化的影响.结果表明,随着射频氢等离子功率的提高、衬底温度升高和退火时间的增加,薄膜的晶化度呈现出增加趋势.
利用氫等離子體加熱晶化n+-a-Si∶H/a-Si∶H薄膜,可以在450℃的襯底溫度下製備多晶硅薄膜.採用X射線衍射譜、Raman散射譜和掃描電子顯微鏡等手段進行錶徵和分析,研究瞭不同退火條件對薄膜晶化的影響.結果錶明,隨著射頻氫等離子功率的提高、襯底溫度升高和退火時間的增加,薄膜的晶化度呈現齣增加趨勢.
이용경등리자체가열정화n+-a-Si∶H/a-Si∶H박막,가이재450℃적츤저온도하제비다정규박막.채용X사선연사보、Raman산사보화소묘전자현미경등수단진행표정화분석,연구료불동퇴화조건대박막정화적영향.결과표명,수착사빈경등리자공솔적제고、츤저온도승고화퇴화시간적증가,박막적정화도정현출증가추세.
