半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2004年
12期
1690-1694
,共5页
孙智林%孙伟锋%易扬波%陆生礼
孫智林%孫偉鋒%易颺波%陸生禮
손지림%손위봉%역양파%륙생례
LDMOS%沟道%峰值电场%热载流子效应
LDMOS%溝道%峰值電場%熱載流子效應
LDMOS%구도%봉치전장%열재류자효응
分析了沟道高电场分布产生原因及各个参数对高电场的影响,提出了两条沟道设计的原则--拉长沟道同时降低沟道浓度.模拟结果显示,两条原则能够有效地降低沟道两端的两个峰值电场,从而缓解沟道热载流子效应,提高P-LDMOS的可靠性.
分析瞭溝道高電場分佈產生原因及各箇參數對高電場的影響,提齣瞭兩條溝道設計的原則--拉長溝道同時降低溝道濃度.模擬結果顯示,兩條原則能夠有效地降低溝道兩耑的兩箇峰值電場,從而緩解溝道熱載流子效應,提高P-LDMOS的可靠性.
분석료구도고전장분포산생원인급각개삼수대고전장적영향,제출료량조구도설계적원칙--랍장구도동시강저구도농도.모의결과현시,량조원칙능구유효지강저구도량단적량개봉치전장,종이완해구도열재류자효응,제고P-LDMOS적가고성.
