固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2007年
2期
147-150,180
,共5页
施主能级分裂%配分函数%综合平均能量增量%分布函数
施主能級分裂%配分函數%綜閤平均能量增量%分佈函數
시주능급분렬%배분함수%종합평균능량증량%분포함수
在半导体材料中,谷轨道耦合作用使得施主能级发生分裂(Valley-orbit splitting).通过引进电子在分裂能级上的配分函数和综合平均能量增量,得到了适用于施主能级分裂的分布函数.利用新得到的分布函数对掺As的si和含N的6H-SiC进行最小二乘曲线拟合,得到的杂质热电离能与光电离能完全吻合.
在半導體材料中,穀軌道耦閤作用使得施主能級髮生分裂(Valley-orbit splitting).通過引進電子在分裂能級上的配分函數和綜閤平均能量增量,得到瞭適用于施主能級分裂的分佈函數.利用新得到的分佈函數對摻As的si和含N的6H-SiC進行最小二乘麯線擬閤,得到的雜質熱電離能與光電離能完全吻閤.
재반도체재료중,곡궤도우합작용사득시주능급발생분렬(Valley-orbit splitting).통과인진전자재분렬능급상적배분함수화종합평균능량증량,득도료괄용우시주능급분렬적분포함수.이용신득도적분포함수대참As적si화함N적6H-SiC진행최소이승곡선의합,득도적잡질열전리능여광전리능완전문합.
