室温连续激射1.59μm GaInNAsSb量子阱激光器
실온련속격사1.59μm GaInNAsSb양자정격광기
Room Temperature Continuous Wave Operation 1.59μm GaInNAsSb Quantum Well Lasers
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2007年 z1期 486-488 ,共3页

    赵欢%杜云%倪海桥%张石勇%韩勤%徐应强%牛智川%吴荣汉

    조환%두운%예해교%장석용%한근%서응강%우지천%오영한

    分子束外延%快速热退火%量子阱 分子束外延%快速熱退火%量子阱
    분자속외연%쾌속열퇴화%양자정
    研究了原位和非原位退火对分子束外延生长的GaInNAsSb/GaNAs/GaAs量子阱激光器的作用.通过快速热退火量子阱质量得到很大提高,这一方法还很少被应用于激光器的制作,特别是波长在1.55μm波段的激光器.生长量子阱时采用的生长速率、Sb诱导等,将量子阱激光器发光波长拓展到1.59μm,并制作了脊型波导FP腔GaInNAsSb单阱激光器,成功实现了室温连续激射,激射波长达到1.59μm,阈值电流为2.6kA/cm2.
    연구료원위화비원위퇴화대분자속외연생장적GaInNAsSb/GaNAs/GaAs양자정격광기적작용.통과쾌속열퇴화양자정질량득도흔대제고,저일방법환흔소피응용우격광기적제작,특별시파장재1.55μm파단적격광기.생장양자정시채용적생장속솔、Sb유도등,장양자정격광기발광파장탁전도1.59μm,병제작료척형파도FP강GaInNAsSb단정격광기,성공실현료실온련속격사,격사파장체도1.59μm,역치전류위2.6kA/cm2.
    원문보기 원문다운로드 사이트로이동
저자의 최근 논문