传感技术学报
傳感技術學報
전감기술학보
Journal of Transduction Technology
2009年
1期
42-44
,共3页
CMOS工艺%MEMS%钨电阻%钨微热板
CMOS工藝%MEMS%鎢電阻%鎢微熱闆
CMOS공예%MEMS%오전조%오미열판
标准CMOS工艺中的多晶硅的热性能越来越稳定,因此多晶硅微热板受到一定的限制.本文设计了一种与标准CMOS工艺兼容的钨微热板.钨在CMOS工艺中作为通孔材料连接两层金属或者金属与硅衬底.但在钨微热板的设计过程中,钨连接一层金属,构成钨电阻,作为微热板的加热和测温电阻.测量结果显示钨的温度系数是0.0015/℃,钨微热板的热阻是17℃/mW.本文的钨微热板的设计可以应用到相关的与标准CMOS工艺兼容的热传感器的设计之中.
標準CMOS工藝中的多晶硅的熱性能越來越穩定,因此多晶硅微熱闆受到一定的限製.本文設計瞭一種與標準CMOS工藝兼容的鎢微熱闆.鎢在CMOS工藝中作為通孔材料連接兩層金屬或者金屬與硅襯底.但在鎢微熱闆的設計過程中,鎢連接一層金屬,構成鎢電阻,作為微熱闆的加熱和測溫電阻.測量結果顯示鎢的溫度繫數是0.0015/℃,鎢微熱闆的熱阻是17℃/mW.本文的鎢微熱闆的設計可以應用到相關的與標準CMOS工藝兼容的熱傳感器的設計之中.
표준CMOS공예중적다정규적열성능월래월은정,인차다정규미열판수도일정적한제.본문설계료일충여표준CMOS공예겸용적오미열판.오재CMOS공예중작위통공재료련접량층금속혹자금속여규츤저.단재오미열판적설계과정중,오련접일층금속,구성오전조,작위미열판적가열화측온전조.측량결과현시오적온도계수시0.0015/℃,오미열판적열조시17℃/mW.본문적오미열판적설계가이응용도상관적여표준CMOS공예겸용적열전감기적설계지중.
