CAJ | 학술논문

采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法,利用旋转涂覆技术在玻璃衬底及单晶Si(111)衬底上制备掺Zn2+的Mg0薄膜.使用紫外可见光分光光度计测定掺杂薄膜的透过率,并采用XRD和EDS等测试手段研究薄膜的晶向结构和成分.结果表明,胶棉液的含量对成膜质量有重要的影响；随着Zn2+掺杂量的提高,薄膜透过率先增大后减小,在掺杂量为10％时,薄膜有最佳透过率;随着退火温度的升高,薄膜晶粒生长没有出现明显的择优取向.最后,对模拟放电单元进行放电测试,结果表明,在掺杂量为10％时,薄膜有最低着火电压和最高的记忆系数.
채용용효-응효(Sol-Gel)법,이용선전도복기술재파리츤저급단정Si(111)츤저상제비참Zn2+적Mg0박막.사용자외가견광분광광도계측정참잡박막적투과솔,병채용XRD화EDS등측시수단연구박막적정향결구화성분.결과표명,효면액적함량대성막질량유중요적영향；수착Zn2+참잡량적제고,박막투과솔선증대후감소,재참잡량위10％시,박막유최가투과솔;수착퇴화온도적승고,박막정립생장몰유출현명현적택우취향.최후,대모의방전단원진행방전측시,결과표명,재참잡량위10％시,박막유최저착화전압화최고적기억계수.