光学学报
光學學報
광학학보
ACTA OPTICA SINICA
2002年
7期
870-873
,共4页
苏雪梅%卓仲畅%宁永强%王立军
囌雪梅%卓仲暢%寧永彊%王立軍
소설매%탁중창%저영강%왕립군
耦合量子阱%Fano干涉%光开关
耦閤量子阱%Fano榦涉%光開關
우합양자정%Fano간섭%광개관
提出了一种基于在GaAs-AlGaAs非对称耦合量子阱材料子带跃迁的量子干涉的半导体弱光开关.分析了弛豫速率γ21对光开关的影响.这种半导体弱光开关是半导体超晶格材料共振隧穿作用导致的子带跃迁的Fano干涉的结果.由于半导体结构与材料可以人为地选择,相干强度可以控制和改变,这种半导体弱光开关比采用原子系统更实用.这也是一种在半导体材料中实现一束光控制另一束光的方法.
提齣瞭一種基于在GaAs-AlGaAs非對稱耦閤量子阱材料子帶躍遷的量子榦涉的半導體弱光開關.分析瞭弛豫速率γ21對光開關的影響.這種半導體弱光開關是半導體超晶格材料共振隧穿作用導緻的子帶躍遷的Fano榦涉的結果.由于半導體結構與材料可以人為地選擇,相榦彊度可以控製和改變,這種半導體弱光開關比採用原子繫統更實用.這也是一種在半導體材料中實現一束光控製另一束光的方法.
제출료일충기우재GaAs-AlGaAs비대칭우합양자정재료자대약천적양자간섭적반도체약광개관.분석료이예속솔γ21대광개관적영향.저충반도체약광개관시반도체초정격재료공진수천작용도치적자대약천적Fano간섭적결과.유우반도체결구여재료가이인위지선택,상간강도가이공제화개변,저충반도체약광개관비채용원자계통경실용.저야시일충재반도체재료중실현일속광공제령일속광적방법.
