人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2004年
2期
201-204
,共4页
李宪林%黄柏标%朱宝富%于永芹%尉吉勇%秦晓燕
李憲林%黃柏標%硃寶富%于永芹%尉吉勇%秦曉燕
리헌림%황백표%주보부%우영근%위길용%진효연
氧化锌%乙醇%MOCVD%温度%光谱
氧化鋅%乙醇%MOCVD%溫度%光譜
양화자%을순%MOCVD%온도%광보
本文探索了以乙醇为氧源通过MOCVD方法生长ZnO薄膜的方法,着重研究了该实验中生长温度对薄膜发光光谱的影响.我们分别在350℃、370℃、380℃、400℃和420℃温度下生长了ZnO薄膜,并对其发光光谱进行了研究.结果表明适当地提高生长温度可以使近带边发光峰蓝移,但温度过高,使得峰位红移并展宽.在380℃的生长条件下得到了较好的光谱.370℃条件下还出现了474nm的发光峰,经退火后此峰消失.
本文探索瞭以乙醇為氧源通過MOCVD方法生長ZnO薄膜的方法,著重研究瞭該實驗中生長溫度對薄膜髮光光譜的影響.我們分彆在350℃、370℃、380℃、400℃和420℃溫度下生長瞭ZnO薄膜,併對其髮光光譜進行瞭研究.結果錶明適噹地提高生長溫度可以使近帶邊髮光峰藍移,但溫度過高,使得峰位紅移併展寬.在380℃的生長條件下得到瞭較好的光譜.370℃條件下還齣現瞭474nm的髮光峰,經退火後此峰消失.
본문탐색료이을순위양원통과MOCVD방법생장ZnO박막적방법,착중연구료해실험중생장온도대박막발광광보적영향.아문분별재350℃、370℃、380℃、400℃화420℃온도하생장료ZnO박막,병대기발광광보진행료연구.결과표명괄당지제고생장온도가이사근대변발광봉람이,단온도과고,사득봉위홍이병전관.재380℃적생장조건하득도료교호적광보.370℃조건하환출현료474nm적발광봉,경퇴화후차봉소실.
