真空电子技术
真空電子技術
진공전자기술
VACUUM ELECTRONICS
2004年
4期
7-9
,共3页
衰减器%非氧化物陶瓷%活性金属法%封接工艺%封接机理
衰減器%非氧化物陶瓷%活性金屬法%封接工藝%封接機理
쇠감기%비양화물도자%활성금속법%봉접공예%봉접궤리
介绍了非氧化物陶瓷(AlN+SiC)衰减器的封接工艺:用氢化钛和铜银粉在真空炉中进行活性金属化,抛光后在卧式烧氢炉中与可伐焊接,在立式烧氢炉中与铜腔片焊接;同时初步分析了封接机理:钛与熔化的Ag-Cu合金作用,生成活性物质Cu3Ti,然后Cu3Ti与陶瓷中的氧反应,在界面形成富钛的过渡层.
介紹瞭非氧化物陶瓷(AlN+SiC)衰減器的封接工藝:用氫化鈦和銅銀粉在真空爐中進行活性金屬化,拋光後在臥式燒氫爐中與可伐銲接,在立式燒氫爐中與銅腔片銲接;同時初步分析瞭封接機理:鈦與鎔化的Ag-Cu閤金作用,生成活性物質Cu3Ti,然後Cu3Ti與陶瓷中的氧反應,在界麵形成富鈦的過渡層.
개소료비양화물도자(AlN+SiC)쇠감기적봉접공예:용경화태화동은분재진공로중진행활성금속화,포광후재와식소경로중여가벌한접,재입식소경로중여동강편한접;동시초보분석료봉접궤리:태여용화적Ag-Cu합금작용,생성활성물질Cu3Ti,연후Cu3Ti여도자중적양반응,재계면형성부태적과도층.
