分析化学
分析化學
분석화학
CHINESE JOURNAL OF ANALYTICAL CHEMISTRY
2008年
6期
839-842
,共4页
丁海云%周晔%张树静%尹学博%李一峻%何锡文
丁海雲%週曄%張樹靜%尹學博%李一峻%何錫文
정해운%주엽%장수정%윤학박%리일준%하석문
纳米铜%化学修饰电极%十六烷基三甲基溴化铵%葡萄糖%催化氧化
納米銅%化學脩飾電極%十六烷基三甲基溴化銨%葡萄糖%催化氧化
납미동%화학수식전겁%십륙완기삼갑기추화안%포도당%최화양화
在表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵(CTMAB)的分散作用下,通过恒电位还原CuSO4在玻碳电极上沉积Cu,得到纳米Cu修饰玻碳电极(nano-cu-GCE),该修饰电极对葡萄糖(Glu)的氧化具有明显的催化作用,利用该催化作用对Glu进行检测,通过研究沉积电位、沉积时间以及检测电位对电流信号的影响,优化了电极的制备条件和Glu的检测条件.沉积电位为-100 mV,沉积时间8 min.在检测电位400 mV下,Glu在1.0×10-63.9×10-4moL/L范围内Glu电流与空白溶液电流值之差与其浓度呈线性关系,检出限为2.6×10-7mol/L(S/N=3),线性回归方程△i(μA)=-1.02-125674.54C(mol/L),r=0.9981.抗坏血酸(从)、对乙酰氨基酚(AP)和L-半胱氨酸(Cys)对Glu信号几乎无干扰.
在錶麵活性劑十六烷基三甲基溴化銨(CTMAB)的分散作用下,通過恆電位還原CuSO4在玻碳電極上沉積Cu,得到納米Cu脩飾玻碳電極(nano-cu-GCE),該脩飾電極對葡萄糖(Glu)的氧化具有明顯的催化作用,利用該催化作用對Glu進行檢測,通過研究沉積電位、沉積時間以及檢測電位對電流信號的影響,優化瞭電極的製備條件和Glu的檢測條件.沉積電位為-100 mV,沉積時間8 min.在檢測電位400 mV下,Glu在1.0×10-63.9×10-4moL/L範圍內Glu電流與空白溶液電流值之差與其濃度呈線性關繫,檢齣限為2.6×10-7mol/L(S/N=3),線性迴歸方程△i(μA)=-1.02-125674.54C(mol/L),r=0.9981.抗壞血痠(從)、對乙酰氨基酚(AP)和L-半胱氨痠(Cys)對Glu信號幾乎無榦擾.
재표면활성제십륙완기삼갑기추화안(CTMAB)적분산작용하,통과항전위환원CuSO4재파탄전겁상침적Cu,득도납미Cu수식파탄전겁(nano-cu-GCE),해수식전겁대포도당(Glu)적양화구유명현적최화작용,이용해최화작용대Glu진행검측,통과연구침적전위、침적시간이급검측전위대전류신호적영향,우화료전겁적제비조건화Glu적검측조건.침적전위위-100 mV,침적시간8 min.재검측전위400 mV하,Glu재1.0×10-63.9×10-4moL/L범위내Glu전류여공백용액전류치지차여기농도정선성관계,검출한위2.6×10-7mol/L(S/N=3),선성회귀방정△i(μA)=-1.02-125674.54C(mol/L),r=0.9981.항배혈산(종)、대을선안기분(AP)화L-반광안산(Cys)대Glu신호궤호무간우.
