人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2008年
3期
627-630,638
,共5页
碲铟汞%缺陷%腐蚀坑%半导体材料
碲銦汞%缺陷%腐蝕坑%半導體材料
제인홍%결함%부식갱%반도체재료
研究了HgInTe的腐蚀工艺,探索出一种适合于HgInTe的腐蚀液,并对腐蚀原理做了分析.利用该腐蚀液对HgInTe晶体内部的缺陷种类和分布进行了研究.结果表明,垂直轴向切割的HgInTe晶片腐蚀后的位错蚀坑呈近等腰三角形.在本实验条件下,位错蚀坑密度EPD(etch-pit density)约在105/cm2数量级.HgInTe晶体中的位错墙主要以边重叠和角重叠两种方式排列而成.HgInTe中存在少量由内应力引起的微裂纹.该腐蚀液能有效地显示HgInTe晶体不同晶面的多种缺陷,腐蚀效果较好.
研究瞭HgInTe的腐蝕工藝,探索齣一種適閤于HgInTe的腐蝕液,併對腐蝕原理做瞭分析.利用該腐蝕液對HgInTe晶體內部的缺陷種類和分佈進行瞭研究.結果錶明,垂直軸嚮切割的HgInTe晶片腐蝕後的位錯蝕坑呈近等腰三角形.在本實驗條件下,位錯蝕坑密度EPD(etch-pit density)約在105/cm2數量級.HgInTe晶體中的位錯牆主要以邊重疊和角重疊兩種方式排列而成.HgInTe中存在少量由內應力引起的微裂紋.該腐蝕液能有效地顯示HgInTe晶體不同晶麵的多種缺陷,腐蝕效果較好.
연구료HgInTe적부식공예,탐색출일충괄합우HgInTe적부식액,병대부식원리주료분석.이용해부식액대HgInTe정체내부적결함충류화분포진행료연구.결과표명,수직축향절할적HgInTe정편부식후적위착식갱정근등요삼각형.재본실험조건하,위착식갱밀도EPD(etch-pit density)약재105/cm2수량급.HgInTe정체중적위착장주요이변중첩화각중첩량충방식배렬이성.HgInTe중존재소량유내응력인기적미렬문.해부식액능유효지현시HgInTe정체불동정면적다충결함,부식효과교호.
