激光与红外
激光與紅外
격광여홍외
LASER & INFRARED
2009年
6期
612-617
,共6页
李永富%唐恒敬%张可峰%李淘%宁锦华%李雪%龚海梅
李永富%唐恆敬%張可峰%李淘%寧錦華%李雪%龔海梅
리영부%당항경%장가봉%리도%저금화%리설%공해매
InGaAs红外探测器%产生-复合电流%隧穿电流%暗电流%优值因子%峰值探测率
InGaAs紅外探測器%產生-複閤電流%隧穿電流%暗電流%優值因子%峰值探測率
InGaAs홍외탐측기%산생-복합전류%수천전류%암전류%우치인자%봉치탐측솔
通过闭管扩散方式,在NIN型InP/InO0.82Ga0.18As/InP材料上制备了单元及八元平面型红外探测器件,研究了器件的光谱响应特性、变温电流-电压特性以及器件探测率的温度响应特性.研究表明,不同温度下,在较低的偏压下,器件的正向暗电流的主要成分为源于材料缺陷的产生-复合电流,随着电压增大,器件的电流将会受到串联电阻的限制而趋于饱和.在近室温(>250 K)下,器件的反向电流主要以扩散电流和产生-复合电流为主,随着温度降低(<158 K),与偏压成正比的隧穿电流将占优势.温度>158 K时,器件的R0A值主要受产生-复合机制影响,温度<158 K时,R0A值则受缺陷辅助遂穿机制限制.随着温度的降低,器件的峰值探测率在210 K达到峰值,单元器件约1.7×109 cmHz1/2/W,八元器件约9.4×109 cmHz1/2/W.
通過閉管擴散方式,在NIN型InP/InO0.82Ga0.18As/InP材料上製備瞭單元及八元平麵型紅外探測器件,研究瞭器件的光譜響應特性、變溫電流-電壓特性以及器件探測率的溫度響應特性.研究錶明,不同溫度下,在較低的偏壓下,器件的正嚮暗電流的主要成分為源于材料缺陷的產生-複閤電流,隨著電壓增大,器件的電流將會受到串聯電阻的限製而趨于飽和.在近室溫(>250 K)下,器件的反嚮電流主要以擴散電流和產生-複閤電流為主,隨著溫度降低(<158 K),與偏壓成正比的隧穿電流將佔優勢.溫度>158 K時,器件的R0A值主要受產生-複閤機製影響,溫度<158 K時,R0A值則受缺陷輔助遂穿機製限製.隨著溫度的降低,器件的峰值探測率在210 K達到峰值,單元器件約1.7×109 cmHz1/2/W,八元器件約9.4×109 cmHz1/2/W.
통과폐관확산방식,재NIN형InP/InO0.82Ga0.18As/InP재료상제비료단원급팔원평면형홍외탐측기건,연구료기건적광보향응특성、변온전류-전압특성이급기건탐측솔적온도향응특성.연구표명,불동온도하,재교저적편압하,기건적정향암전류적주요성분위원우재료결함적산생-복합전류,수착전압증대,기건적전류장회수도천련전조적한제이추우포화.재근실온(>250 K)하,기건적반향전류주요이확산전류화산생-복합전류위주,수착온도강저(<158 K),여편압성정비적수천전류장점우세.온도>158 K시,기건적R0A치주요수산생-복합궤제영향,온도<158 K시,R0A치칙수결함보조수천궤제한제.수착온도적강저,기건적봉치탐측솔재210 K체도봉치,단원기건약1.7×109 cmHz1/2/W,팔원기건약9.4×109 cmHz1/2/W.
