半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2002年
6期
604-608
,共5页
胡冬枝%赵登涛%蒋伟荣%施斌%顾骁骁%张翔九%蒋最敏
鬍鼕枝%趙登濤%蔣偉榮%施斌%顧驍驍%張翔九%蔣最敏
호동지%조등도%장위영%시빈%고효효%장상구%장최민
量子点%Ge%固相外延
量子點%Ge%固相外延
양자점%Ge%고상외연
研究了Si(001)面偏[110]方向6°斜切衬底上Ge量子点的固相外延生长.实验结果表明,在Si(001)6°斜切衬底上固相外延生长Ge量子点的最佳退火温度为640℃,在斜切衬底上成岛生长的临界厚度低于在Si(001)衬底成岛生长的临界厚度,6°斜切衬底上淀积0.7nm Ge即可成岛,少于Si(001)衬底片上Ge成岛所需的淀积量.从Ge量子点的密度随固相外延温度的变化曲线,得到Ge量子点的激活能为1.9eV,远高于Si(111)面上固相外延Ge量子点的激活能0.3eV.实验亦发现,在Si(001)斜切衬底上固相外延生长的Ge量子点较Si(001)衬底上形成的量子点的热稳定性要好.
研究瞭Si(001)麵偏[110]方嚮6°斜切襯底上Ge量子點的固相外延生長.實驗結果錶明,在Si(001)6°斜切襯底上固相外延生長Ge量子點的最佳退火溫度為640℃,在斜切襯底上成島生長的臨界厚度低于在Si(001)襯底成島生長的臨界厚度,6°斜切襯底上澱積0.7nm Ge即可成島,少于Si(001)襯底片上Ge成島所需的澱積量.從Ge量子點的密度隨固相外延溫度的變化麯線,得到Ge量子點的激活能為1.9eV,遠高于Si(111)麵上固相外延Ge量子點的激活能0.3eV.實驗亦髮現,在Si(001)斜切襯底上固相外延生長的Ge量子點較Si(001)襯底上形成的量子點的熱穩定性要好.
연구료Si(001)면편[110]방향6°사절츤저상Ge양자점적고상외연생장.실험결과표명,재Si(001)6°사절츤저상고상외연생장Ge양자점적최가퇴화온도위640℃,재사절츤저상성도생장적림계후도저우재Si(001)츤저성도생장적림계후도,6°사절츤저상정적0.7nm Ge즉가성도,소우Si(001)츤저편상Ge성도소수적정적량.종Ge양자점적밀도수고상외연온도적변화곡선,득도Ge양자점적격활능위1.9eV,원고우Si(111)면상고상외연Ge양자점적격활능0.3eV.실험역발현,재Si(001)사절츤저상고상외연생장적Ge양자점교Si(001)츤저상형성적양자점적열은정성요호.
