空间生长GaAs材料多孔部分的俄歇能谱分析与阴极荧光形貌观察
공간생장GaAs재료다공부분적아헐능보분석여음겁형광형모관찰
Investigation of bubble surface of GaAs grown under microgravity condition by Auger and Cathodoluminescence
  • 万方数据
    功能材料与器件学报 공능재료여기건학보
    JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
    2000年 4期 332-334 ,共3页

    李韫言%蔚燕华%李成基

    리운언%위연화%리성기

    砷化镓%汽泡%俄歇分析%阴极荧光 砷化鎵%汽泡%俄歇分析%陰極熒光
    신화가%기포%아헐분석%음겁형광
    在空间生长SI-GaAs的某些部位有汽泡产生,经俄歇分析,汽泡表面约有10nm的砷层,它从半绝缘砷化镓内部逸出,导致其成为半导体.用阴极荧光形貌观测了其多晶结构.
    재공간생장SI-GaAs적모사부위유기포산생,경아헐분석,기포표면약유10nm적신층,타종반절연신화가내부일출,도치기성위반도체.용음겁형광형모관측료기다정결구.
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