量子电子学报
量子電子學報
양자전자학보
CHINESE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS
2003年
5期
550-552
,共3页
陶德节%邾根祥%闫如顺%刘福云%郭行安%殷绍唐
陶德節%邾根祥%閆如順%劉福雲%郭行安%慇紹唐
도덕절%주근상%염여순%류복운%곽행안%은소당
提拉法%GGG晶体%固液界面
提拉法%GGG晶體%固液界麵
제랍법%GGG정체%고액계면
用提拉法生长出了优质的钆镓石榴石(Gd3Ga5O12)晶体,晶体尺寸达φ35×70 mm.详细描述了晶体生长工艺过程,讨论了生长气氛对及坩埚形状对晶体生长的影响.
用提拉法生長齣瞭優質的釓鎵石榴石(Gd3Ga5O12)晶體,晶體呎吋達φ35×70 mm.詳細描述瞭晶體生長工藝過程,討論瞭生長氣氛對及坩堝形狀對晶體生長的影響.
용제랍법생장출료우질적구가석류석(Gd3Ga5O12)정체,정체척촌체φ35×70 mm.상세묘술료정체생장공예과정,토론료생장기분대급감과형상대정체생장적영향.
