河南机电高等专科学校学报
河南機電高等專科學校學報
하남궤전고등전과학교학보
JOURNAL OF HENAN MECHANICAL AND ELECTRICAL ENGINEERING COLLEGE
2006年
6期
1-3
,共3页
ICP%基片温度%刻蚀%刻蚀速率
ICP%基片溫度%刻蝕%刻蝕速率
ICP%기편온도%각식%각식속솔
以SF6/O2为刻蚀气体用RIE刻蚀机刻蚀Si,当功率为500W,偏压为250V,气体流量45mL/min,压力分别为2.7Pa、6.7 Pa、11Pa时,基片温度的改变对其刻蚀速率的影响.实验结果表明:进行室温刻蚀(≥0℃)和低温刻蚀(≤0℃)时,其刻蚀机理不尽相同,当基片温度为0℃～80℃时,对刻蚀速率起关键作用的是各向同性的化学反应刻蚀.当基片温度为-120℃～0℃时,对刻蚀速率起关键作用的是各向异性的物理刻蚀,可以获得理想的尺寸和形貌.
以SF6/O2為刻蝕氣體用RIE刻蝕機刻蝕Si,噹功率為500W,偏壓為250V,氣體流量45mL/min,壓力分彆為2.7Pa、6.7 Pa、11Pa時,基片溫度的改變對其刻蝕速率的影響.實驗結果錶明:進行室溫刻蝕(≥0℃)和低溫刻蝕(≤0℃)時,其刻蝕機理不儘相同,噹基片溫度為0℃～80℃時,對刻蝕速率起關鍵作用的是各嚮同性的化學反應刻蝕.噹基片溫度為-120℃～0℃時,對刻蝕速率起關鍵作用的是各嚮異性的物理刻蝕,可以穫得理想的呎吋和形貌.
이SF6/O2위각식기체용RIE각식궤각식Si,당공솔위500W,편압위250V,기체류량45mL/min,압력분별위2.7Pa、6.7 Pa、11Pa시,기편온도적개변대기각식속솔적영향.실험결과표명:진행실온각식(≥0℃)화저온각식(≤0℃)시,기각식궤리불진상동,당기편온도위0℃～80℃시,대각식속솔기관건작용적시각향동성적화학반응각식.당기편온도위-120℃～0℃시,대각식속솔기관건작용적시각향이성적물리각식,가이획득이상적척촌화형모.
