光子学报
光子學報
광자학보
ACTA PHOTONICA SINICA
2008年
5期
1001-1005
,共5页
邹林儿%陈抱雪%杜丽萍%袁一方%浜中广见%矶守
鄒林兒%陳抱雪%杜麗萍%袁一方%浜中廣見%磯守
추림인%진포설%두려평%원일방%빈중엄견%기수
非晶态半导体%As2S8半导体薄膜%光折变效应%光致体积变化
非晶態半導體%As2S8半導體薄膜%光摺變效應%光緻體積變化
비정태반도체%As2S8반도체박막%광절변효응%광치체적변화
实验研究了非晶态As2S8半导体薄膜在光照、退火-光照和退火-光照-退火-光照关连作用下的光折变效应及淀积态与退火态两种膜系光致体积变化现象.采用棱镜耦合技术、Raman光谱和X线衍射测试技术,确认了As2S8薄膜经紫外光辐照后薄膜密度增高、折射率增大的现象.实验表明,淀积态As2S8薄膜经紫外光照后,折射率变化的最大增量可达到0.06,而退火态As2S8薄膜经紫外光照射后,其折射率最大变化比前者要小一个数量级,约为0.005 7.淀积态和退火态两种膜系紫外光照后,体积缩小,这与As2S3非晶态薄膜的情况不同,体积变化率分别为-3.5%和-2.1%.实验还显示,退火态的As2S8薄膜存在折射率完全可逆现象.
實驗研究瞭非晶態As2S8半導體薄膜在光照、退火-光照和退火-光照-退火-光照關連作用下的光摺變效應及澱積態與退火態兩種膜繫光緻體積變化現象.採用稜鏡耦閤技術、Raman光譜和X線衍射測試技術,確認瞭As2S8薄膜經紫外光輻照後薄膜密度增高、摺射率增大的現象.實驗錶明,澱積態As2S8薄膜經紫外光照後,摺射率變化的最大增量可達到0.06,而退火態As2S8薄膜經紫外光照射後,其摺射率最大變化比前者要小一箇數量級,約為0.005 7.澱積態和退火態兩種膜繫紫外光照後,體積縮小,這與As2S3非晶態薄膜的情況不同,體積變化率分彆為-3.5%和-2.1%.實驗還顯示,退火態的As2S8薄膜存在摺射率完全可逆現象.
실험연구료비정태As2S8반도체박막재광조、퇴화-광조화퇴화-광조-퇴화-광조관련작용하적광절변효응급정적태여퇴화태량충막계광치체적변화현상.채용릉경우합기술、Raman광보화X선연사측시기술,학인료As2S8박막경자외광복조후박막밀도증고、절사솔증대적현상.실험표명,정적태As2S8박막경자외광조후,절사솔변화적최대증량가체도0.06,이퇴화태As2S8박막경자외광조사후,기절사솔최대변화비전자요소일개수량급,약위0.005 7.정적태화퇴화태량충막계자외광조후,체적축소,저여As2S3비정태박막적정황불동,체적변화솔분별위-3.5%화-2.1%.실험환현시,퇴화태적As2S8박막존재절사솔완전가역현상.
