半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2010年
12期
1167-1169,1182
,共4页
赵巧云%周建伟%刘玉岭%刘效岩%刘海晓
趙巧雲%週建偉%劉玉嶺%劉效巖%劉海曉
조교운%주건위%류옥령%류효암%류해효
化学机械抛光%硅衬底%去除速率%循环抛光%稳定性
化學機械拋光%硅襯底%去除速率%循環拋光%穩定性
화학궤계포광%규츤저%거제속솔%순배포광%은정성
介绍了ULSI硅衬底的抛光工艺,并对其抛光机理进行了理论分析.通过对抛光液循环使用过程中CMP速率稳定性及其影响因素进行深入系统的分析,得出pH值、抛光温度和黏度等因素的变化是影响抛光速率稳定性的主要原因.并提出改进方案:控制好温度范围和流量的改变,以及循环中适当增加新的抛光液.为CMP速率稳定性的研究提供了有意义的借鉴.
介紹瞭ULSI硅襯底的拋光工藝,併對其拋光機理進行瞭理論分析.通過對拋光液循環使用過程中CMP速率穩定性及其影響因素進行深入繫統的分析,得齣pH值、拋光溫度和黏度等因素的變化是影響拋光速率穩定性的主要原因.併提齣改進方案:控製好溫度範圍和流量的改變,以及循環中適噹增加新的拋光液.為CMP速率穩定性的研究提供瞭有意義的藉鑒.
개소료ULSI규츤저적포광공예,병대기포광궤리진행료이론분석.통과대포광액순배사용과정중CMP속솔은정성급기영향인소진행심입계통적분석,득출pH치、포광온도화점도등인소적변화시영향포광속솔은정성적주요원인.병제출개진방안:공제호온도범위화류량적개변,이급순배중괄당증가신적포광액.위CMP속솔은정성적연구제공료유의의적차감.
