半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2011年
1期
11-13,21
,共4页
陈海涛%檀柏梅%刘玉岭%牛新环%刘金玉
陳海濤%檀柏梅%劉玉嶺%牛新環%劉金玉
진해도%단백매%류옥령%우신배%류금옥
化学机械抛光%清洗%电化学%纳米颗粒%兆声清洗
化學機械拋光%清洗%電化學%納米顆粒%兆聲清洗
화학궤계포광%청세%전화학%납미과립%조성청세
对晶片化学机械抛光(CMP)后表面吸附的纳米颗粒去除进行了研究,分析了晶片表面吸附物的种类及吸附机理.由于晶片表面吸附的有机物多为大分子物质,它在晶片表面的吸附除了容易处理的物理吸附外,还会和晶片表面构成化学键,形成难以处理的化学吸附.对清洗过程中颗粒的去除有严重的影响,提出利用电化学清洗,结合表面活性剂和兆声波清洗的方法去除晶片表面的纳米颗粒.经金相显微镜观察和原子力显微镜检测,晶片表面纳米颗粒能得到很好地去除,效果明显优于单纯的兆声波清洗方法.
對晶片化學機械拋光(CMP)後錶麵吸附的納米顆粒去除進行瞭研究,分析瞭晶片錶麵吸附物的種類及吸附機理.由于晶片錶麵吸附的有機物多為大分子物質,它在晶片錶麵的吸附除瞭容易處理的物理吸附外,還會和晶片錶麵構成化學鍵,形成難以處理的化學吸附.對清洗過程中顆粒的去除有嚴重的影響,提齣利用電化學清洗,結閤錶麵活性劑和兆聲波清洗的方法去除晶片錶麵的納米顆粒.經金相顯微鏡觀察和原子力顯微鏡檢測,晶片錶麵納米顆粒能得到很好地去除,效果明顯優于單純的兆聲波清洗方法.
대정편화학궤계포광(CMP)후표면흡부적납미과립거제진행료연구,분석료정편표면흡부물적충류급흡부궤리.유우정편표면흡부적유궤물다위대분자물질,타재정편표면적흡부제료용역처리적물리흡부외,환회화정편표면구성화학건,형성난이처리적화학흡부.대청세과정중과립적거제유엄중적영향,제출이용전화학청세,결합표면활성제화조성파청세적방법거제정편표면적납미과립.경금상현미경관찰화원자력현미경검측,정편표면납미과립능득도흔호지거제,효과명현우우단순적조성파청세방법.
