材料导报
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재료도보
MATERIALS REVIEW
2012年
15期
19-26
,共8页
RRAM存储器%阻变效应%电阻存储%物理机制
RRAM存儲器%阻變效應%電阻存儲%物理機製
RRAM존저기%조변효응%전조존저%물리궤제
随着半导体技术节点的推进,传统的半导体存储技术已经满足不了人们对便携式信息产品的要求.阻变式存储器(RRAM)作为一种新的存储技术,其器件具有结构简单、与CMOS工艺兼容、可高密度集成以及快速存储等优势,引起人们广泛的研究兴趣并成为国内外研究的热点领域.就目前RRAM器件的研究现状,从RRAM器件的基本工作原理、微观物理机制、实际应用所遭遇的挑战以及新型RRAM器件等方面进行了简要评述.
隨著半導體技術節點的推進,傳統的半導體存儲技術已經滿足不瞭人們對便攜式信息產品的要求.阻變式存儲器(RRAM)作為一種新的存儲技術,其器件具有結構簡單、與CMOS工藝兼容、可高密度集成以及快速存儲等優勢,引起人們廣汎的研究興趣併成為國內外研究的熱點領域.就目前RRAM器件的研究現狀,從RRAM器件的基本工作原理、微觀物理機製、實際應用所遭遇的挑戰以及新型RRAM器件等方麵進行瞭簡要評述.
수착반도체기술절점적추진,전통적반도체존저기술이경만족불료인문대편휴식신식산품적요구.조변식존저기(RRAM)작위일충신적존저기술,기기건구유결구간단、여CMOS공예겸용、가고밀도집성이급쾌속존저등우세,인기인문엄범적연구흥취병성위국내외연구적열점영역.취목전RRAM기건적연구현상,종RRAM기건적기본공작원리、미관물리궤제、실제응용소조우적도전이급신형RRAM기건등방면진행료간요평술.
