材料导报
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재료도보
MATERIALS REVIEW
2012年
16期
87-90
,共4页
Ta-Al-N薄膜%磁控溅射%结构%热稳定性%阻挡特性
Ta-Al-N薄膜%磁控濺射%結構%熱穩定性%阻擋特性
Ta-Al-N박막%자공천사%결구%열은정성%조당특성
采用磁控反应共溅射法制备了Ta-Al-N纳米薄膜及Cu/Ta-Al-N/Si结构,并在氮气保护下对薄膜进行了快速热处理,用四探针电阻测试仪、台阶仪、原子力显微镜、X射线衍射、X射线光电子能谱、扫描电镜等对薄膜进行了表征.研究表明,少量Al的掺入可降低薄膜的表面粗糙度,有效提高其热稳定性和Cu扩散阻挡能力,但同时也增大了薄膜的电阻率.Al原子分数为1.7％、厚约100nm的Ta-Al-N薄膜在800℃热处理5min后仍可保持稳定和对Cu扩散的有效阻挡,其作用机制与Al填充堵塞晶界及提高薄膜的晶化温度有关.
採用磁控反應共濺射法製備瞭Ta-Al-N納米薄膜及Cu/Ta-Al-N/Si結構,併在氮氣保護下對薄膜進行瞭快速熱處理,用四探針電阻測試儀、檯階儀、原子力顯微鏡、X射線衍射、X射線光電子能譜、掃描電鏡等對薄膜進行瞭錶徵.研究錶明,少量Al的摻入可降低薄膜的錶麵粗糙度,有效提高其熱穩定性和Cu擴散阻擋能力,但同時也增大瞭薄膜的電阻率.Al原子分數為1.7％、厚約100nm的Ta-Al-N薄膜在800℃熱處理5min後仍可保持穩定和對Cu擴散的有效阻擋,其作用機製與Al填充堵塞晶界及提高薄膜的晶化溫度有關.
채용자공반응공천사법제비료Ta-Al-N납미박막급Cu/Ta-Al-N/Si결구,병재담기보호하대박막진행료쾌속열처리,용사탐침전조측시의、태계의、원자력현미경、X사선연사、X사선광전자능보、소묘전경등대박막진행료표정.연구표명,소량Al적참입가강저박막적표면조조도,유효제고기열은정성화Cu확산조당능력,단동시야증대료박막적전조솔.Al원자분수위1.7％、후약100nm적Ta-Al-N박막재800℃열처리5min후잉가보지은정화대Cu확산적유효조당,기작용궤제여Al전충도새정계급제고박막적정화온도유관.
