材料导报
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재료도보
MATERIALS REVIEW
2012年
14期
150-153
,共4页
梁伟华%王秀丽%赵亚军%庞学霞%王英龙
樑偉華%王秀麗%趙亞軍%龐學霞%王英龍
량위화%왕수려%조아군%방학하%왕영룡
纳米Si薄膜%第一性原理%光学性质%弹性常数
納米Si薄膜%第一性原理%光學性質%彈性常數
납미Si박막%제일성원리%광학성질%탄성상수
采用基于密度泛函理论的第一性原理的方法,对厚度为0.54～3.30nm纳米Si薄膜的电子结构、光学性质及弹性常数进行了计算.结果表明,纳米Si薄膜是直接带隙半导体材料;随着纳米Si薄膜厚度的减小,带隙逐渐增大;薄膜的光学吸收边发生蓝移,吸收带出现宽化现象;弹性常数、杨氏模量和泊松比呈现尺寸效应.
採用基于密度汎函理論的第一性原理的方法,對厚度為0.54～3.30nm納米Si薄膜的電子結構、光學性質及彈性常數進行瞭計算.結果錶明,納米Si薄膜是直接帶隙半導體材料;隨著納米Si薄膜厚度的減小,帶隙逐漸增大;薄膜的光學吸收邊髮生藍移,吸收帶齣現寬化現象;彈性常數、楊氏模量和泊鬆比呈現呎吋效應.
채용기우밀도범함이론적제일성원리적방법,대후도위0.54～3.30nm납미Si박막적전자결구、광학성질급탄성상수진행료계산.결과표명,납미Si박막시직접대극반도체재료;수착납미Si박막후도적감소,대극축점증대;박막적광학흡수변발생람이,흡수대출현관화현상;탄성상수、양씨모량화박송비정현척촌효응.
