材料导报
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재료도보
MATERIALS REVIEW
2012年
14期
22-24,32
,共4页
陈达%刘林杰%薛忠营%刘肃%贾晓云
陳達%劉林傑%薛忠營%劉肅%賈曉雲
진체%류림걸%설충영%류숙%가효운
薄膜%减压化学气相沉积%硅锗%负载影响
薄膜%減壓化學氣相沉積%硅鍺%負載影響
박막%감압화학기상침적%규타%부재영향
利用RPCVD系统,在150mm(100)硅片衬底上了制备出高质量锗硅合金薄膜,研究了温度和锗烷流量对薄膜生长速率与合金中锗浓度的影响,并对薄膜进行了掺杂处理.分别利用高分辨透射电子显微镜、高分辨X射线衍射、原子力显微镜、二次离子质谱表征了薄膜特性.结果表明,通过克服RPCVD系统中外延层高缺陷密度、掺杂控制困难等缺点,制备出高质量的SiGe薄膜.
利用RPCVD繫統,在150mm(100)硅片襯底上瞭製備齣高質量鍺硅閤金薄膜,研究瞭溫度和鍺烷流量對薄膜生長速率與閤金中鍺濃度的影響,併對薄膜進行瞭摻雜處理.分彆利用高分辨透射電子顯微鏡、高分辨X射線衍射、原子力顯微鏡、二次離子質譜錶徵瞭薄膜特性.結果錶明,通過剋服RPCVD繫統中外延層高缺陷密度、摻雜控製睏難等缺點,製備齣高質量的SiGe薄膜.
이용RPCVD계통,재150mm(100)규편츤저상료제비출고질량타규합금박막,연구료온도화타완류량대박막생장속솔여합금중타농도적영향,병대박막진행료참잡처리.분별이용고분변투사전자현미경、고분변X사선연사、원자력현미경、이차리자질보표정료박막특성.결과표명,통과극복RPCVD계통중외연층고결함밀도、참잡공제곤난등결점,제비출고질량적SiGe박막.
