材料导报
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재료도보
MATERIALS REVIEW
2012年
10期
23-26
,共4页
马扬昭%谢中%周艳明%夏丰金%冯双磊%李科
馬颺昭%謝中%週豔明%夏豐金%馮雙磊%李科
마양소%사중%주염명%하봉금%풍쌍뢰%리과
Al2O3基陶瓷基底%玻璃基底%Ta-N薄膜%反应磁控溅射%氮分压%电阻温度系数
Al2O3基陶瓷基底%玻璃基底%Ta-N薄膜%反應磁控濺射%氮分壓%電阻溫度繫數
Al2O3기도자기저%파리기저%Ta-N박막%반응자공천사%담분압%전조온도계수
在N2、Ar气氛中,采用反应直流磁控溅射法在Al2O3基陶瓷及玻璃基底上制备了Ta-N薄膜,并对各样品的形貌结构、化学组分及电学特性进行了比较分析研究.结果表明,沉积于Al2O3陶瓷及玻璃基底的Ta-N薄膜分别呈团簇状生长与层状紧密堆积生长；Al2O3陶瓷基底沉积的Ta-N为单相薄膜,而玻璃基底上的Ta-N薄膜,随N2、Ar流量比增加,呈单相向多相共存转变；薄膜表面形貌和微结构与基底材料的原始形貌和微结构紧密相关,这说明基底材料对薄膜的形成有重要的影响；N2、Ar流量比相同时,玻璃基底上沉积的Ta-N薄膜电性能优于Al2O3基陶瓷基底上沉积的Ta-N薄膜.
在N2、Ar氣氛中,採用反應直流磁控濺射法在Al2O3基陶瓷及玻璃基底上製備瞭Ta-N薄膜,併對各樣品的形貌結構、化學組分及電學特性進行瞭比較分析研究.結果錶明,沉積于Al2O3陶瓷及玻璃基底的Ta-N薄膜分彆呈糰簇狀生長與層狀緊密堆積生長；Al2O3陶瓷基底沉積的Ta-N為單相薄膜,而玻璃基底上的Ta-N薄膜,隨N2、Ar流量比增加,呈單相嚮多相共存轉變；薄膜錶麵形貌和微結構與基底材料的原始形貌和微結構緊密相關,這說明基底材料對薄膜的形成有重要的影響；N2、Ar流量比相同時,玻璃基底上沉積的Ta-N薄膜電性能優于Al2O3基陶瓷基底上沉積的Ta-N薄膜.
재N2、Ar기분중,채용반응직류자공천사법재Al2O3기도자급파리기저상제비료Ta-N박막,병대각양품적형모결구、화학조분급전학특성진행료비교분석연구.결과표명,침적우Al2O3도자급파리기저적Ta-N박막분별정단족상생장여층상긴밀퇴적생장；Al2O3도자기저침적적Ta-N위단상박막,이파리기저상적Ta-N박막,수N2、Ar류량비증가,정단상향다상공존전변；박막표면형모화미결구여기저재료적원시형모화미결구긴밀상관,저설명기저재료대박막적형성유중요적영향；N2、Ar류량비상동시,파리기저상침적적Ta-N박막전성능우우Al2O3기도자기저상침적적Ta-N박막.
