材料导报
材料導報
재료도보
MATERIALS REVIEW
2012年
9期
11-14,26
,共5页
赵超亮%宋波%张幸红%韩杰才
趙超亮%宋波%張倖紅%韓傑纔
조초량%송파%장행홍%한걸재
氮化铝%物理气相传输%籽晶
氮化鋁%物理氣相傳輸%籽晶
담화려%물리기상전수%자정
氮化铝(AlN)是一种重要的宽带隙(6.2eV)半导体材料,在高温、高频、大功率电子器件、光电子器件、激光器件等半导体器件中有着良好的应用前景.物理气相传输法( PVT)是制备AlN体单晶最有效的途径之一,目前,美国Crystal IS公司、俄罗斯N-Crystals公司在该领域处于领先地位,可以制备出直径为2inch(5.08cm)的体单晶.为了获得大尺寸、高质量的AlN晶体,需要不断寻找合适的籽晶材料.从最早的SiC籽晶,发展到近年来的AlN籽晶、SiC/AlN复合籽晶,加上不断改进的PVT工艺条件,少数研究机构已经可以获得直径跨度大、缺陷密度低的AlN晶体.近两年,高品质的AlN晶体也已成功应用于紫外LED的研制.
氮化鋁(AlN)是一種重要的寬帶隙(6.2eV)半導體材料,在高溫、高頻、大功率電子器件、光電子器件、激光器件等半導體器件中有著良好的應用前景.物理氣相傳輸法( PVT)是製備AlN體單晶最有效的途徑之一,目前,美國Crystal IS公司、俄囉斯N-Crystals公司在該領域處于領先地位,可以製備齣直徑為2inch(5.08cm)的體單晶.為瞭穫得大呎吋、高質量的AlN晶體,需要不斷尋找閤適的籽晶材料.從最早的SiC籽晶,髮展到近年來的AlN籽晶、SiC/AlN複閤籽晶,加上不斷改進的PVT工藝條件,少數研究機構已經可以穫得直徑跨度大、缺陷密度低的AlN晶體.近兩年,高品質的AlN晶體也已成功應用于紫外LED的研製.
담화려(AlN)시일충중요적관대극(6.2eV)반도체재료,재고온、고빈、대공솔전자기건、광전자기건、격광기건등반도체기건중유착량호적응용전경.물리기상전수법( PVT)시제비AlN체단정최유효적도경지일,목전,미국Crystal IS공사、아라사N-Crystals공사재해영역처우령선지위,가이제비출직경위2inch(5.08cm)적체단정.위료획득대척촌、고질량적AlN정체,수요불단심조합괄적자정재료.종최조적SiC자정,발전도근년래적AlN자정、SiC/AlN복합자정,가상불단개진적PVT공예조건,소수연구궤구이경가이획득직경과도대、결함밀도저적AlN정체.근량년,고품질적AlN정체야이성공응용우자외LED적연제.
