材料导报
材料導報
재료도보
MATERIALS REVIEW
2011年
16期
23-26
,共4页
马玉英%刘爱华%许士才%郭进进%侯娟%满宝元
馬玉英%劉愛華%許士纔%郭進進%侯娟%滿寶元
마옥영%류애화%허사재%곽진진%후연%만보원
β-FeSi2%薄膜%PLD%光致发光%3D显微分析
β-FeSi2%薄膜%PLD%光緻髮光%3D顯微分析
β-FeSi2%박막%PLD%광치발광%3D현미분석
采用脉冲激光沉积(PLD)法在p型Si(100)衬底上制备了β-FeSi2半导体薄膜,并在沉积系统中进行了800℃、3h的原位高温退火过程,最后采用X射线衍射仪、3D显微镜、原子力电子显微镜、荧光光谱仪分析了实验样品的晶体结构、表面形貌、元素组成、红外吸收和光致发光特性.分析实验结果发现,制备的单相β-FeSi2多晶半导体薄膜结晶质量良好,β-FeSi2在Si(100)衬底上沿(202/220)方向择优生长,且在常温下测得了β-FeSi2半导体薄膜的光致发光谱.
採用脈遲激光沉積(PLD)法在p型Si(100)襯底上製備瞭β-FeSi2半導體薄膜,併在沉積繫統中進行瞭800℃、3h的原位高溫退火過程,最後採用X射線衍射儀、3D顯微鏡、原子力電子顯微鏡、熒光光譜儀分析瞭實驗樣品的晶體結構、錶麵形貌、元素組成、紅外吸收和光緻髮光特性.分析實驗結果髮現,製備的單相β-FeSi2多晶半導體薄膜結晶質量良好,β-FeSi2在Si(100)襯底上沿(202/220)方嚮擇優生長,且在常溫下測得瞭β-FeSi2半導體薄膜的光緻髮光譜.
채용맥충격광침적(PLD)법재p형Si(100)츤저상제비료β-FeSi2반도체박막,병재침적계통중진행료800℃、3h적원위고온퇴화과정,최후채용X사선연사의、3D현미경、원자력전자현미경、형광광보의분석료실험양품적정체결구、표면형모、원소조성、홍외흡수화광치발광특성.분석실험결과발현,제비적단상β-FeSi2다정반도체박막결정질량량호,β-FeSi2재Si(100)츤저상연(202/220)방향택우생장,차재상온하측득료β-FeSi2반도체박막적광치발광보.
