硅谷
硅穀
규곡
SILICON VALLEY
2011年
14期
58-59,48
,共3页
VDMOS%ESD保护%串联齐纳二极管
VDMOS%ESD保護%串聯齊納二極管
VDMOS%ESD보호%천련제납이겁관
ESD是导致VMOS器件损坏的一个重要原因,通过分析VDMOS器件ESD损坏的机理,提出在VDMOS器件的内部制造ESD保护单元,为节约芯片面积,提出在VDMOS器件的栅压焊区位置制造连接栅源的齐纳二极管,通过串联齐纳二极管达到ESD保护单元一定的耐压要求.并介绍利用多晶硅来制造栅源之间的ESD保护单元,工艺简单容易实现又节约成本.
ESD是導緻VMOS器件損壞的一箇重要原因,通過分析VDMOS器件ESD損壞的機理,提齣在VDMOS器件的內部製造ESD保護單元,為節約芯片麵積,提齣在VDMOS器件的柵壓銲區位置製造連接柵源的齊納二極管,通過串聯齊納二極管達到ESD保護單元一定的耐壓要求.併介紹利用多晶硅來製造柵源之間的ESD保護單元,工藝簡單容易實現又節約成本.
ESD시도치VMOS기건손배적일개중요원인,통과분석VDMOS기건ESD손배적궤리,제출재VDMOS기건적내부제조ESD보호단원,위절약심편면적,제출재VDMOS기건적책압한구위치제조련접책원적제납이겁관,통과천련제납이겁관체도ESD보호단원일정적내압요구.병개소이용다정규래제조책원지간적ESD보호단원,공예간단용역실현우절약성본.
