微处理机
微處理機
미처리궤
MICROPROCESSORS
2009年
6期
24-25,29
,共3页
压控振荡器%相位噪声%交叉耦合
壓控振盪器%相位譟聲%交扠耦閤
압공진탕기%상위조성%교차우합
通过引入NMOS交叉耦合结构,设计了一种低功耗,低相位噪声的二级环形振荡器.采用TSMC 0.25μm CMOS工艺参数,用Cadence的Spectre软件进行仿真,在3.3V电压下,工作频率可达2G,偏离主频1MHz处相位噪声为-95.6dBc/Hz.功耗为3.2mW.
通過引入NMOS交扠耦閤結構,設計瞭一種低功耗,低相位譟聲的二級環形振盪器.採用TSMC 0.25μm CMOS工藝參數,用Cadence的Spectre軟件進行倣真,在3.3V電壓下,工作頻率可達2G,偏離主頻1MHz處相位譟聲為-95.6dBc/Hz.功耗為3.2mW.
통과인입NMOS교차우합결구,설계료일충저공모,저상위조성적이급배형진탕기.채용TSMC 0.25μm CMOS공예삼수,용Cadence적Spectre연건진행방진,재3.3V전압하,공작빈솔가체2G,편리주빈1MHz처상위조성위-95.6dBc/Hz.공모위3.2mW.
