Si3N4钝化层质量分析研究
Si3N4둔화층질량분석연구
Analysis of Si3N4 Passivation Layer Quality
  • 万方数据
    半导体技术 반도체기술
    SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
    2009年 2期 142-145 ,共4页

    丁丽%严如岳%何秀坤%李宝珠%李雨辰%何友琴%马农农%章安辉%刘立娜

    정려%엄여악%하수곤%리보주%리우신%하우금%마농농%장안휘%류립나

    氮化硅%钝化层%表面分析%生成物 氮化硅%鈍化層%錶麵分析%生成物
    담화규%둔화층%표면분석%생성물
    采用扫描电镜(SEM)、X光电子能谱仪(XPS)、二次离子质谱仪(SIMS)等多种微分析手段对失效器件芯片表面生成物产生原因进行了分析,同时结合器件制备工艺和器件可靠性实验分析了Si3N4钝化层质量与工艺的关系.通过大量分析实验,确定了器件失效的重要原因是Si3N4钝化层存在缺陷而导致器件因表面漏电而失效.实验结果表明,将Si3N4钝化层中SiOx含量控制在10%以下,器件管壳内水分控制在1%以下,器件经过100O h电老化后芯片表面无生成物产生.
    채용소묘전경(SEM)、X광전자능보의(XPS)、이차리자질보의(SIMS)등다충미분석수단대실효기건심편표면생성물산생원인진행료분석,동시결합기건제비공예화기건가고성실험분석료Si3N4둔화층질량여공예적관계.통과대량분석실험,학정료기건실효적중요원인시Si3N4둔화층존재결함이도치기건인표면루전이실효.실험결과표명,장Si3N4둔화층중SiOx함량공제재10%이하,기건관각내수분공제재1%이하,기건경과100O h전노화후심편표면무생성물산생.
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