发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2008年
6期
1076-1080
,共5页
甘新慧%廖远宝%刘东%戴明%徐岭%吴良才%马忠元%徐骏
甘新慧%廖遠寶%劉東%戴明%徐嶺%吳良纔%馬忠元%徐駿
감신혜%료원보%류동%대명%서령%오량재%마충원%서준
CdS纳米晶薄膜%化学浴淀积法%紫外可见光吸收谱
CdS納米晶薄膜%化學浴澱積法%紫外可見光吸收譜
CdS납미정박막%화학욕정적법%자외가견광흡수보
CdS是一种直接带隙半导体,室温下其禁带宽度约为2.4 eV,是一种良好的太阳能电池窗口层材料和过渡层材料.分别以CdCl2和(NH2)2CS作为镉源和硫源,用化学淀积法在玻璃上生长CdS纳米薄膜,考察了Cd2+浓度、淀积温度、淀积时间以及溶液pH值对CdS成膜的影响.紫外可见光吸收谱和荧光光谱的结果表明,在样品的制备过程中 ,通过改变反应条件如化学试剂的浓度、加热温度、加热时间等来控制薄膜中颗粒的尺寸大小,随着反应温度的逐渐降低或反应时间的减少等可以使得到的CdS纳米晶薄膜中晶粒尺寸逐渐减小,带隙增加;镉离子浓度越小或氨水浓度越大,所得CdS纳米晶薄膜带隙越大.
CdS是一種直接帶隙半導體,室溫下其禁帶寬度約為2.4 eV,是一種良好的太暘能電池窗口層材料和過渡層材料.分彆以CdCl2和(NH2)2CS作為鎘源和硫源,用化學澱積法在玻璃上生長CdS納米薄膜,攷察瞭Cd2+濃度、澱積溫度、澱積時間以及溶液pH值對CdS成膜的影響.紫外可見光吸收譜和熒光光譜的結果錶明,在樣品的製備過程中 ,通過改變反應條件如化學試劑的濃度、加熱溫度、加熱時間等來控製薄膜中顆粒的呎吋大小,隨著反應溫度的逐漸降低或反應時間的減少等可以使得到的CdS納米晶薄膜中晶粒呎吋逐漸減小,帶隙增加;鎘離子濃度越小或氨水濃度越大,所得CdS納米晶薄膜帶隙越大.
CdS시일충직접대극반도체,실온하기금대관도약위2.4 eV,시일충량호적태양능전지창구층재료화과도층재료.분별이CdCl2화(NH2)2CS작위력원화류원,용화학정적법재파리상생장CdS납미박막,고찰료Cd2+농도、정적온도、정적시간이급용액pH치대CdS성막적영향.자외가견광흡수보화형광광보적결과표명,재양품적제비과정중 ,통과개변반응조건여화학시제적농도、가열온도、가열시간등래공제박막중과립적척촌대소,수착반응온도적축점강저혹반응시간적감소등가이사득도적CdS납미정박막중정립척촌축점감소,대극증가;력리자농도월소혹안수농도월대,소득CdS납미정박막대극월대.
