发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2008年
5期
851-855
,共5页
徐峰%陈敦军%张荣%谢自力%刘斌%刘启佳%江若涟%郑有阧
徐峰%陳敦軍%張榮%謝自力%劉斌%劉啟佳%江若漣%鄭有阧
서봉%진돈군%장영%사자력%류빈%류계가%강약련%정유두
In分凝%X射线衍射%原子力显微镜%X射线光电子谱%Raman散射
In分凝%X射線衍射%原子力顯微鏡%X射線光電子譜%Raman散射
In분응%X사선연사%원자력현미경%X사선광전자보%Raman산사
利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法不同生长条件下在c面蓝宝石衬底上制备了InN薄膜,通过不同的物理表征手段研究了InN薄膜的物理性质,结果表明:合适的生长温度可以抑制InN薄膜表面分凝现象.研究认为较低的生长温度使作为N源的NH3分解率较低,In-N的成键可能性小,导致In在表面聚集出现分凝;而较高生长温度时,InN薄膜中In-N键能较小,易发生断裂,反应活性较强的N和H原子逸离薄膜表面,In滞留在薄膜表面也导致In分凝现象的出现.相对于表面分凝的样品,未出现表面分凝的样品的薄膜晶体质量和表面形貌也得到了提高.同时,通过Raman散射谱研究了晶格振动E2声子模的应力效应.
利用金屬有機物化學氣相澱積(MOCVD)方法不同生長條件下在c麵藍寶石襯底上製備瞭InN薄膜,通過不同的物理錶徵手段研究瞭InN薄膜的物理性質,結果錶明:閤適的生長溫度可以抑製InN薄膜錶麵分凝現象.研究認為較低的生長溫度使作為N源的NH3分解率較低,In-N的成鍵可能性小,導緻In在錶麵聚集齣現分凝;而較高生長溫度時,InN薄膜中In-N鍵能較小,易髮生斷裂,反應活性較彊的N和H原子逸離薄膜錶麵,In滯留在薄膜錶麵也導緻In分凝現象的齣現.相對于錶麵分凝的樣品,未齣現錶麵分凝的樣品的薄膜晶體質量和錶麵形貌也得到瞭提高.同時,通過Raman散射譜研究瞭晶格振動E2聲子模的應力效應.
이용금속유궤물화학기상정적(MOCVD)방법불동생장조건하재c면람보석츤저상제비료InN박막,통과불동적물리표정수단연구료InN박막적물이성질,결과표명:합괄적생장온도가이억제InN박막표면분응현상.연구인위교저적생장온도사작위N원적NH3분해솔교저,In-N적성건가능성소,도치In재표면취집출현분응;이교고생장온도시,InN박막중In-N건능교소,역발생단렬,반응활성교강적N화H원자일리박막표면,In체류재박막표면야도치In분응현상적출현.상대우표면분응적양품,미출현표면분응적양품적박막정체질량화표면형모야득도료제고.동시,통과Raman산사보연구료정격진동E2성자모적응력효응.
