硅谷
硅穀
규곡
SILICON VALLEY
2008年
12期
30-31
,共2页
压控振荡器%低压%宽频带%电容阵列
壓控振盪器%低壓%寬頻帶%電容陣列
압공진탕기%저압%관빈대%전용진렬
通过对LC压控振荡器原理的分析,设计了一种新型CMOS集成压控振荡器.该电路通过利用振荡器的输出产生高电压来控制开关电容阵列的开启来实现输出频率在不同频段中转换,从而提高输出频率范围和降低相位噪声.电路采用TsMc18rf工艺,用cadence的spectre工具进行仿真.结果表明:在0.6V的电源电压下,频率覆盖了2.07GHz到2.78GHz,可调控范围约为29%,总功耗约为1.8mw,1MHz频偏处相位噪声约为一120dB/Hz,满足了设计要求.
通過對LC壓控振盪器原理的分析,設計瞭一種新型CMOS集成壓控振盪器.該電路通過利用振盪器的輸齣產生高電壓來控製開關電容陣列的開啟來實現輸齣頻率在不同頻段中轉換,從而提高輸齣頻率範圍和降低相位譟聲.電路採用TsMc18rf工藝,用cadence的spectre工具進行倣真.結果錶明:在0.6V的電源電壓下,頻率覆蓋瞭2.07GHz到2.78GHz,可調控範圍約為29%,總功耗約為1.8mw,1MHz頻偏處相位譟聲約為一120dB/Hz,滿足瞭設計要求.
통과대LC압공진탕기원리적분석,설계료일충신형CMOS집성압공진탕기.해전로통과이용진탕기적수출산생고전압래공제개관전용진렬적개계래실현수출빈솔재불동빈단중전환,종이제고수출빈솔범위화강저상위조성.전로채용TsMc18rf공예,용cadence적spectre공구진행방진.결과표명:재0.6V적전원전압하,빈솔복개료2.07GHz도2.78GHz,가조공범위약위29%,총공모약위1.8mw,1MHz빈편처상위조성약위일120dB/Hz,만족료설계요구.
