南昌大学学报（理科版）
南昌大學學報（理科版）
남창대학학보（이과판）
JOURNAL OF NANCHANG UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE)
2007年
6期
560-563
,共4页
徐鹏%王应民%徐飞%张萌
徐鵬%王應民%徐飛%張萌
서붕%왕응민%서비%장맹
掺铒硅%离子注入%MEVVA%XRD
摻鉺硅%離子註入%MEVVA%XRD
참이규%리자주입%MEVVA%XRD
采用金属蒸气真空弧(MEVVA)离子注入机.合成获得高浓度掺铒硅发光薄膜,并对其进行成分和结构分析.在小束流2.5μA·cm-2、小注量5×1016cm-2的注入条件下,Er注入单晶硅,随着退火温度升高,存在Er析出.且析出量增多.相同束流条件下,增大Er的注量也会导致Er析出,甚至出现ErSi2相.
採用金屬蒸氣真空弧(MEVVA)離子註入機.閤成穫得高濃度摻鉺硅髮光薄膜,併對其進行成分和結構分析.在小束流2.5μA·cm-2、小註量5×1016cm-2的註入條件下,Er註入單晶硅,隨著退火溫度升高,存在Er析齣.且析齣量增多.相同束流條件下,增大Er的註量也會導緻Er析齣,甚至齣現ErSi2相.
채용금속증기진공호(MEVVA)리자주입궤.합성획득고농도참이규발광박막,병대기진행성분화결구분석.재소속류2.5μA·cm-2、소주량5×1016cm-2적주입조건하,Er주입단정규,수착퇴화온도승고,존재Er석출.차석출량증다.상동속류조건하,증대Er적주량야회도치Er석출,심지출현ErSi2상.
