半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2007年
6期
825-828
,共4页
邹泽亚%刘挺%王振%赵红%赵文伯%罗木昌%杨谟华
鄒澤亞%劉挺%王振%趙紅%趙文伯%囉木昌%楊謨華
추택아%류정%왕진%조홍%조문백%라목창%양모화
渐变δ掺杂%Mg掺杂%p型GaN%两步退火%MOCVD
漸變δ摻雜%Mg摻雜%p型GaN%兩步退火%MOCVD
점변δ참잡%Mg참잡%p형GaN%량보퇴화%MOCVD
采用MOCVD技术及渐变δ-Mg掺杂方法生长了p型GaN薄膜,对样品进行了两步退火处理以对Mg进行激活.通过Hall测试发现,经过950℃下的第一次退火后,样品空穴浓度为1.64×1016cm-3,电阻率为77.9Ω·cm.经过750℃下的第二次退火后,样品的空穴浓度增大了10倍,电阻率减小为原来的1/20.分析认为,渐变δ掺杂减小了Mg的自补偿效应,两步退火提高了Mg的激活效率,从而显著提高了样品的空穴浓度和降低了电阻率.实验还发现,经过750℃下15min的第二次退火后得到的样品的空穴浓度最大,达5.13×1017cm-3.
採用MOCVD技術及漸變δ-Mg摻雜方法生長瞭p型GaN薄膜,對樣品進行瞭兩步退火處理以對Mg進行激活.通過Hall測試髮現,經過950℃下的第一次退火後,樣品空穴濃度為1.64×1016cm-3,電阻率為77.9Ω·cm.經過750℃下的第二次退火後,樣品的空穴濃度增大瞭10倍,電阻率減小為原來的1/20.分析認為,漸變δ摻雜減小瞭Mg的自補償效應,兩步退火提高瞭Mg的激活效率,從而顯著提高瞭樣品的空穴濃度和降低瞭電阻率.實驗還髮現,經過750℃下15min的第二次退火後得到的樣品的空穴濃度最大,達5.13×1017cm-3.
채용MOCVD기술급점변δ-Mg참잡방법생장료p형GaN박막,대양품진행료량보퇴화처리이대Mg진행격활.통과Hall측시발현,경과950℃하적제일차퇴화후,양품공혈농도위1.64×1016cm-3,전조솔위77.9Ω·cm.경과750℃하적제이차퇴화후,양품적공혈농도증대료10배,전조솔감소위원래적1/20.분석인위,점변δ참잡감소료Mg적자보상효응,량보퇴화제고료Mg적격활효솔,종이현저제고료양품적공혈농도화강저료전조솔.실험환발현,경과750℃하15min적제이차퇴화후득도적양품적공혈농도최대,체5.13×1017cm-3.
