华中科技大学学报（自然科学版）
華中科技大學學報（自然科學版）
화중과기대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY(NATURE SCIENCE)
2007年
11期
106-108
,共3页
张道礼%梁延彬%吴艳辉%陈胜
張道禮%樑延彬%吳豔輝%陳勝
장도례%량연빈%오염휘%진성
带隙基准%反馈%温度系数%电源抑制比%可修调电阻
帶隙基準%反饋%溫度繫數%電源抑製比%可脩調電阻
대극기준%반궤%온도계수%전원억제비%가수조전조
基于CSMC 0.5 μm CMOS工艺,采用CMOS技术,设计一种高性能的带隙基准电压源.带隙基准电压源输出电压经过电平转换电路,反馈回带隙基准电压源中的运算放大器,可以获得良好的电源特性和带负载能力.采用可修调电阻阵列,精确地控制温度系数.仿真结果表明:在5 V电源电压下,温度系数为8.28×10-6/℃,低频电源抑制比为83 dB.
基于CSMC 0.5 μm CMOS工藝,採用CMOS技術,設計一種高性能的帶隙基準電壓源.帶隙基準電壓源輸齣電壓經過電平轉換電路,反饋迴帶隙基準電壓源中的運算放大器,可以穫得良好的電源特性和帶負載能力.採用可脩調電阻陣列,精確地控製溫度繫數.倣真結果錶明:在5 V電源電壓下,溫度繫數為8.28×10-6/℃,低頻電源抑製比為83 dB.
기우CSMC 0.5 μm CMOS공예,채용CMOS기술,설계일충고성능적대극기준전압원.대극기준전압원수출전압경과전평전환전로,반궤회대극기준전압원중적운산방대기,가이획득량호적전원특성화대부재능력.채용가수조전조진렬,정학지공제온도계수.방진결과표명:재5 V전원전압하,온도계수위8.28×10-6/℃,저빈전원억제비위83 dB.
