物理学报
物理學報
물이학보
2007年
12期
7195-7200
,共6页
徐剑%黄水平%王占山%鲁大学%苑同锁
徐劍%黃水平%王佔山%魯大學%苑同鎖
서검%황수평%왕점산%로대학%원동쇄
F掺杂%SnO2%电子结构%态密度
F摻雜%SnO2%電子結構%態密度
F참잡%SnO2%전자결구%태밀도
采用基于密度泛函理论的平面波赝势方法对SnO2:F体系的电子结构进行了第一性原理模拟计算.用广义梯度近似方法优化SnO2:F体系的晶胞结构,计算了体系基态总能.通过确定F掺杂对O的优先替代位置,计算了SnO2:F的能带结构、态密度、分波态密度.分析了F掺杂对SnO2晶体的电子结构和晶体性质及光学吸收边的影响,从理论上得出光学吸收边发生蓝移.对不同掺杂量的体系电子结构进行了分析.
採用基于密度汎函理論的平麵波贗勢方法對SnO2:F體繫的電子結構進行瞭第一性原理模擬計算.用廣義梯度近似方法優化SnO2:F體繫的晶胞結構,計算瞭體繫基態總能.通過確定F摻雜對O的優先替代位置,計算瞭SnO2:F的能帶結構、態密度、分波態密度.分析瞭F摻雜對SnO2晶體的電子結構和晶體性質及光學吸收邊的影響,從理論上得齣光學吸收邊髮生藍移.對不同摻雜量的體繫電子結構進行瞭分析.
채용기우밀도범함이론적평면파안세방법대SnO2:F체계적전자결구진행료제일성원리모의계산.용엄의제도근사방법우화SnO2:F체계적정포결구,계산료체계기태총능.통과학정F참잡대O적우선체대위치,계산료SnO2:F적능대결구、태밀도、분파태밀도.분석료F참잡대SnO2정체적전자결구화정체성질급광학흡수변적영향,종이론상득출광학흡수변발생람이.대불동참잡량적체계전자결구진행료분석.
