电子显微学报
電子顯微學報
전자현미학보
JOURNAL OF CHINESE ELECTRON MICROSCOPY SOCIETY
2007年
6期
541-547
,共7页
刘志文%付伟佳%刘明%谷建峰%马春雨%张庆瑜
劉誌文%付偉佳%劉明%穀建峰%馬春雨%張慶瑜
류지문%부위가%류명%곡건봉%마춘우%장경유
ZnO薄膜%退火行为%界面%扩散机制
ZnO薄膜%退火行為%界麵%擴散機製
ZnO박막%퇴화행위%계면%확산궤제
本文利用原子力显微镜、透射电子显微镜、X射线衍射等分析手段研究了反应射频磁控溅射截然不同的阶段,其临界转变温度在790 ℃附近.进一步分析表明,决定低温退火的晶粒长大机制为Zn填隙原子扩散机制,而决定高温退火时的晶粒长大机制为O空位扩散机制.界面分析结果显示:在临界转变温度以下,ZnO薄膜与基体Si之间基本不发生界面反应;在高温退火过程中,ZnO薄膜与基体Si之间的界面反应主要以氧化后的Si表面层向ZnO扩散的方式进行,并导致了薄膜应力的迅速增加,而界面反应开始之前的薄膜应力的变化,则是由于晶粒合并所引起的.
本文利用原子力顯微鏡、透射電子顯微鏡、X射線衍射等分析手段研究瞭反應射頻磁控濺射截然不同的階段,其臨界轉變溫度在790 ℃附近.進一步分析錶明,決定低溫退火的晶粒長大機製為Zn填隙原子擴散機製,而決定高溫退火時的晶粒長大機製為O空位擴散機製.界麵分析結果顯示:在臨界轉變溫度以下,ZnO薄膜與基體Si之間基本不髮生界麵反應;在高溫退火過程中,ZnO薄膜與基體Si之間的界麵反應主要以氧化後的Si錶麵層嚮ZnO擴散的方式進行,併導緻瞭薄膜應力的迅速增加,而界麵反應開始之前的薄膜應力的變化,則是由于晶粒閤併所引起的.
본문이용원자력현미경、투사전자현미경、X사선연사등분석수단연구료반응사빈자공천사절연불동적계단,기림계전변온도재790 ℃부근.진일보분석표명,결정저온퇴화적정립장대궤제위Zn전극원자확산궤제,이결정고온퇴화시적정립장대궤제위O공위확산궤제.계면분석결과현시:재림계전변온도이하,ZnO박막여기체Si지간기본불발생계면반응;재고온퇴화과정중,ZnO박막여기체Si지간적계면반응주요이양화후적Si표면층향ZnO확산적방식진행,병도치료박막응력적신속증가,이계면반응개시지전적박막응력적변화,칙시유우정립합병소인기적.
