电子学报
電子學報
전자학보
ACTA ELECTRONICA SINICA
2007年
11期
2050-2054
,共5页
锁钒%于军胜%黎威志%邓静%林慧%蒋亚东
鎖釩%于軍勝%黎威誌%鄧靜%林慧%蔣亞東
쇄범%우군성%려위지%산정%림혜%장아동
有机电致发光%NPB%Alq3%薄膜厚度%陷阱电荷限制(TCL)%器件性能
有機電緻髮光%NPB%Alq3%薄膜厚度%陷阱電荷限製(TCL)%器件性能
유궤전치발광%NPB%Alq3%박막후도%함정전하한제(TCL)%기건성능
研究了以NPB为空穴传输层、Alq3为发光层的双层异质结有机电致发光器件的薄膜厚度对器件性能的影响.制备了一系列具有不同NPB和Alq3厚度的器件并测试了其电致发光特性.结果表明,器件电流随Alq3与NPB厚度变化的关系并不相同.不同有机层厚度双层器件的电流机制符合陷阱电荷限制(TCL)理论,随外加电压的增大,器件电流经历了欧姆电导区、TCL电流区、陷阱电荷限制-空间电荷限制(TCL-SCL)过渡区三个区域的变化.当有机层厚度匹配为NPB(20nm)/Alq3(50nm)时可以获得性能优良的器件.器件的流明效率-电压关系曲线的变化规律是在低电压区较快达到最大值,然后随电压的增加逐渐降低.
研究瞭以NPB為空穴傳輸層、Alq3為髮光層的雙層異質結有機電緻髮光器件的薄膜厚度對器件性能的影響.製備瞭一繫列具有不同NPB和Alq3厚度的器件併測試瞭其電緻髮光特性.結果錶明,器件電流隨Alq3與NPB厚度變化的關繫併不相同.不同有機層厚度雙層器件的電流機製符閤陷阱電荷限製(TCL)理論,隨外加電壓的增大,器件電流經歷瞭歐姆電導區、TCL電流區、陷阱電荷限製-空間電荷限製(TCL-SCL)過渡區三箇區域的變化.噹有機層厚度匹配為NPB(20nm)/Alq3(50nm)時可以穫得性能優良的器件.器件的流明效率-電壓關繫麯線的變化規律是在低電壓區較快達到最大值,然後隨電壓的增加逐漸降低.
연구료이NPB위공혈전수층、Alq3위발광층적쌍층이질결유궤전치발광기건적박막후도대기건성능적영향.제비료일계렬구유불동NPB화Alq3후도적기건병측시료기전치발광특성.결과표명,기건전류수Alq3여NPB후도변화적관계병불상동.불동유궤층후도쌍층기건적전류궤제부합함정전하한제(TCL)이론,수외가전압적증대,기건전류경력료구모전도구、TCL전류구、함정전하한제-공간전하한제(TCL-SCL)과도구삼개구역적변화.당유궤층후도필배위NPB(20nm)/Alq3(50nm)시가이획득성능우량적기건.기건적류명효솔-전압관계곡선적변화규률시재저전압구교쾌체도최대치,연후수전압적증가축점강저.
