半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
z1期
558-560
,共3页
郭德博%梁萌%范曼宁%刘志强%王良臣%王国宏
郭德博%樑萌%範曼寧%劉誌彊%王良臣%王國宏
곽덕박%량맹%범만저%류지강%왕량신%왕국굉
键合%AlGaInP%I-V特性%金锡合金
鍵閤%AlGaInP%I-V特性%金錫閤金
건합%AlGaInP%I-V특성%금석합금
金锡(AuSn)合金作为粘合介质,实现了AlGaInP/Si的异质键合.在室温下键合样品的I-V特性表明AuSn合金对载流子通过界面未见不良影响,截面的显微照片表明键合质量良好.反射谱测试表明键合合金层可以作为反射器,这一特征是AlGaInP发光器件与Si集成的有利条件.
金錫(AuSn)閤金作為粘閤介質,實現瞭AlGaInP/Si的異質鍵閤.在室溫下鍵閤樣品的I-V特性錶明AuSn閤金對載流子通過界麵未見不良影響,截麵的顯微照片錶明鍵閤質量良好.反射譜測試錶明鍵閤閤金層可以作為反射器,這一特徵是AlGaInP髮光器件與Si集成的有利條件.
금석(AuSn)합금작위점합개질,실현료AlGaInP/Si적이질건합.재실온하건합양품적I-V특성표명AuSn합금대재류자통과계면미견불량영향,절면적현미조편표명건합질량량호.반사보측시표명건합합금층가이작위반사기,저일특정시AlGaInP발광기건여Si집성적유리조건.
