物理学报
物理學報
물이학보
2007年
10期
6068-6074
,共7页
常方高%宋桂林%房坤%王照奎
常方高%宋桂林%房坤%王照奎
상방고%송계림%방곤%왕조규
氧含量%正电子寿命%介电常数%介电损耗
氧含量%正電子壽命%介電常數%介電損耗
양함량%정전자수명%개전상수%개전손모
采用固相反应法制备了不同含氧量的BiFeOδ多晶陶瓷样品,利用HP4294A阻抗分析仪测量了样品的介电特性随频率和氧含量的变化,用正电子湮没寿命谱学的方法研究了样品中因氧含量的变化所引起的结构缺陷.实验结果表明:引入氧空位和氧填隙离子缺陷都会使介电常数减小,而介电损耗则随氧含量的增加而增加,二者的变化范围均在10%-35%之间;对不同氧含量的BiFeOδ样品,介电常数和介电损耗随测量频率的增加而减小.氧空位的引入使得局域电子密度变小,正电子平均寿命τm增加.在氧含量δ=2.99时电子密度最大(ne=3.90×1023/cm3),继续增加氧含量对正电子寿命与局域电子密度的影响不大.BiFeOδ样品的介电常数和介电损耗随氧含量的变化可以在空间电荷限制电导的框架下来理解.
採用固相反應法製備瞭不同含氧量的BiFeOδ多晶陶瓷樣品,利用HP4294A阻抗分析儀測量瞭樣品的介電特性隨頻率和氧含量的變化,用正電子湮沒壽命譜學的方法研究瞭樣品中因氧含量的變化所引起的結構缺陷.實驗結果錶明:引入氧空位和氧填隙離子缺陷都會使介電常數減小,而介電損耗則隨氧含量的增加而增加,二者的變化範圍均在10%-35%之間;對不同氧含量的BiFeOδ樣品,介電常數和介電損耗隨測量頻率的增加而減小.氧空位的引入使得跼域電子密度變小,正電子平均壽命τm增加.在氧含量δ=2.99時電子密度最大(ne=3.90×1023/cm3),繼續增加氧含量對正電子壽命與跼域電子密度的影響不大.BiFeOδ樣品的介電常數和介電損耗隨氧含量的變化可以在空間電荷限製電導的框架下來理解.
채용고상반응법제비료불동함양량적BiFeOδ다정도자양품,이용HP4294A조항분석의측량료양품적개전특성수빈솔화양함량적변화,용정전자인몰수명보학적방법연구료양품중인양함량적변화소인기적결구결함.실험결과표명:인입양공위화양전극리자결함도회사개전상수감소,이개전손모칙수양함량적증가이증가,이자적변화범위균재10%-35%지간;대불동양함량적BiFeOδ양품,개전상수화개전손모수측량빈솔적증가이감소.양공위적인입사득국역전자밀도변소,정전자평균수명τm증가.재양함량δ=2.99시전자밀도최대(ne=3.90×1023/cm3),계속증가양함량대정전자수명여국역전자밀도적영향불대.BiFeOδ양품적개전상수화개전손모수양함량적변화가이재공간전하한제전도적광가하래리해.