半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2007年
4期
540-543
,共4页
李玉国%张秋霞%王建波%石礼伟
李玉國%張鞦霞%王建波%石禮偉
리옥국%장추하%왕건파%석례위
磁控溅射%纳米线%热氧化%退火
磁控濺射%納米線%熱氧化%退火
자공천사%납미선%열양화%퇴화
将利用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上沉积的锌膜进行热氧化后,得到一维ZnO纳米棒.采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电镜(TEM)研究了ZnO纳米棒的结构及表面形貌.实验结果表明上述ZnO纳米棒具有六角纤锌矿结构.金属Zn从SiO2基质中析出和O2发生反应在薄膜表面形成低维ZnO纳米棒.讨论了退火温度及退火时间对ZnO纳米棒形成的影响,并对其生长机制作了初步的探讨.
將利用射頻磁控濺射技術在Si(111)襯底上沉積的鋅膜進行熱氧化後,得到一維ZnO納米棒.採用X射線衍射(XRD)、掃描電子顯微鏡(SEM)、透射電鏡(TEM)研究瞭ZnO納米棒的結構及錶麵形貌.實驗結果錶明上述ZnO納米棒具有六角纖鋅礦結構.金屬Zn從SiO2基質中析齣和O2髮生反應在薄膜錶麵形成低維ZnO納米棒.討論瞭退火溫度及退火時間對ZnO納米棒形成的影響,併對其生長機製作瞭初步的探討.
장이용사빈자공천사기술재Si(111)츤저상침적적자막진행열양화후,득도일유ZnO납미봉.채용X사선연사(XRD)、소묘전자현미경(SEM)、투사전경(TEM)연구료ZnO납미봉적결구급표면형모.실험결과표명상술ZnO납미봉구유륙각섬자광결구.금속Zn종SiO2기질중석출화O2발생반응재박막표면형성저유ZnO납미봉.토론료퇴화온도급퇴화시간대ZnO납미봉형성적영향,병대기생장궤제작료초보적탐토.
