真空
真空
진공
VACUUM
2007年
4期
47-49
,共3页
游泳%何娟美%徐小华%饶瑞昌%符五久%李群%吴雪梅
遊泳%何娟美%徐小華%饒瑞昌%符五久%李群%吳雪梅
유영%하연미%서소화%요서창%부오구%리군%오설매
SiOx薄膜%双离子束%溅射%光致发光
SiOx薄膜%雙離子束%濺射%光緻髮光
SiOx박막%쌍리자속%천사%광치발광
本论文采用双离子束溅射沉积技术制备了非晶的SiOx薄膜,XPS的测试表明Si是以单原子或低价氧化物的形态存在于薄膜内;在波长为240 nm紫外光的激发下,室温及1000℃退火后SiOx薄膜的PL谱图显示样品中存在峰位分别处于320 nm,410 nm,560 nm,630 nm四个相互分离的峰,其发光机制分别为来自中性氧空位缺陷(≡Si-O-O-Si≡)、双配位硅悬挂键(O-Si-O)、非桥氧空位中心以及其他缺陷所形成的发光中心.
本論文採用雙離子束濺射沉積技術製備瞭非晶的SiOx薄膜,XPS的測試錶明Si是以單原子或低價氧化物的形態存在于薄膜內;在波長為240 nm紫外光的激髮下,室溫及1000℃退火後SiOx薄膜的PL譜圖顯示樣品中存在峰位分彆處于320 nm,410 nm,560 nm,630 nm四箇相互分離的峰,其髮光機製分彆為來自中性氧空位缺陷(≡Si-O-O-Si≡)、雙配位硅懸掛鍵(O-Si-O)、非橋氧空位中心以及其他缺陷所形成的髮光中心.
본논문채용쌍리자속천사침적기술제비료비정적SiOx박막,XPS적측시표명Si시이단원자혹저개양화물적형태존재우박막내;재파장위240 nm자외광적격발하,실온급1000℃퇴화후SiOx박막적PL보도현시양품중존재봉위분별처우320 nm,410 nm,560 nm,630 nm사개상호분리적봉,기발광궤제분별위래자중성양공위결함(≡Si-O-O-Si≡)、쌍배위규현괘건(O-Si-O)、비교양공위중심이급기타결함소형성적발광중심.
