无机材料学报
無機材料學報
무궤재료학보
JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS
2006年
6期
1511-1514
,共4页
卢洋藩%叶志镇%曾昱嘉%陈兰兰%朱丽萍%赵炳辉
盧洋藩%葉誌鎮%曾昱嘉%陳蘭蘭%硃麗萍%趙炳輝
로양번%협지진%증욱가%진란란%주려평%조병휘
p-ZnO%磁控溅射%共掺
p-ZnO%磁控濺射%共摻
p-ZnO%자공천사%공참
采用Li-N-H共掺技术在玻璃衬底上生长p型ZnO薄膜.XRD结果表明共掺ZnO薄膜具有高度c轴取向,Hall测试表明薄膜的电阻率为25.2Ω·cm,Hall迁移率为0.5cm2/(V·s),空穴浓度为4.92×1017/cm3.此外,p-ZnO薄膜在可见光区域具有90%的高透射率.
採用Li-N-H共摻技術在玻璃襯底上生長p型ZnO薄膜.XRD結果錶明共摻ZnO薄膜具有高度c軸取嚮,Hall測試錶明薄膜的電阻率為25.2Ω·cm,Hall遷移率為0.5cm2/(V·s),空穴濃度為4.92×1017/cm3.此外,p-ZnO薄膜在可見光區域具有90%的高透射率.
채용Li-N-H공참기술재파리츤저상생장p형ZnO박막.XRD결과표명공참ZnO박막구유고도c축취향,Hall측시표명박막적전조솔위25.2Ω·cm,Hall천이솔위0.5cm2/(V·s),공혈농도위4.92×1017/cm3.차외,p-ZnO박막재가견광구역구유90%적고투사솔.
