电子学报
電子學報
전자학보
ACTA ELECTRONICA SINICA
2005年
8期
1484-1486
,共3页
鱼脊形场效应晶体管%体硅%凹槽器件%新结构%CMOS
魚脊形場效應晶體管%體硅%凹槽器件%新結構%CMOS
어척형장효응정체관%체규%요조기건%신결구%CMOS
建立在SOI衬底上的 FinFET结构被认为是最具全面优势的非常规MOS器件结构.本文通过合理的设计将FinFET结构迁移到普通体硅衬底上,利用平面凹槽器件的特性解决了非绝缘衬底对器件短沟道效应的影响,同时获得了一些标准集成电路工艺上的改进空间.运用标准CMOS工艺实际制作的体硅CMOS FinFET器件获得了较好的性能结果并成功地集成到CMOS反相器和环形振荡器中.结构分析与实验结果证明了体硅CMOS FinFET在未来电路中的应用前景.
建立在SOI襯底上的 FinFET結構被認為是最具全麵優勢的非常規MOS器件結構.本文通過閤理的設計將FinFET結構遷移到普通體硅襯底上,利用平麵凹槽器件的特性解決瞭非絕緣襯底對器件短溝道效應的影響,同時穫得瞭一些標準集成電路工藝上的改進空間.運用標準CMOS工藝實際製作的體硅CMOS FinFET器件穫得瞭較好的性能結果併成功地集成到CMOS反相器和環形振盪器中.結構分析與實驗結果證明瞭體硅CMOS FinFET在未來電路中的應用前景.
건립재SOI츤저상적 FinFET결구피인위시최구전면우세적비상규MOS기건결구.본문통과합리적설계장FinFET결구천이도보통체규츤저상,이용평면요조기건적특성해결료비절연츤저대기건단구도효응적영향,동시획득료일사표준집성전로공예상적개진공간.운용표준CMOS공예실제제작적체규CMOS FinFET기건획득료교호적성능결과병성공지집성도CMOS반상기화배형진탕기중.결구분석여실험결과증명료체규CMOS FinFET재미래전로중적응용전경.
