四川师范大学学报（自然科学版）
四川師範大學學報（自然科學版）
사천사범대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF SICHUAN NORMAL UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE)
2005年
6期
680-682
,共3页
CdSSe%半导体纳米晶体%退火
CdSSe%半導體納米晶體%退火
CdSSe%반도체납미정체%퇴화
用共熔法在玻璃基体中退火生长了一系列不同尺寸的CdSSe半导体纳米晶体,并比较和分析了一步法和两步法.两步退火法增加纳米晶体的数目,在一定程度上提高了纳米晶体尺寸分布.根据纳米晶体的室温吸收光谱,用有效质量近似模型估算了纳米晶体的平均尺寸在2.25～2.58 nm之间.
用共鎔法在玻璃基體中退火生長瞭一繫列不同呎吋的CdSSe半導體納米晶體,併比較和分析瞭一步法和兩步法.兩步退火法增加納米晶體的數目,在一定程度上提高瞭納米晶體呎吋分佈.根據納米晶體的室溫吸收光譜,用有效質量近似模型估算瞭納米晶體的平均呎吋在2.25～2.58 nm之間.
용공용법재파리기체중퇴화생장료일계렬불동척촌적CdSSe반도체납미정체,병비교화분석료일보법화량보법.량보퇴화법증가납미정체적수목,재일정정도상제고료납미정체척촌분포.근거납미정체적실온흡수광보,용유효질량근사모형고산료납미정체적평균척촌재2.25～2.58 nm지간.
