国外电子测量技术
國外電子測量技術
국외전자측량기술
FOREIGN ELECTRONIC MEASUREMENT TECHNOLOGY
2004年
5期
2-9
,共8页
电流测量%电流传感器%电流测试%深亚微米%可测性设计%故障模型%集成电路测试IDDQ测试%物理缺陷%测试效率%测试图形%测试生成
電流測量%電流傳感器%電流測試%深亞微米%可測性設計%故障模型%集成電路測試IDDQ測試%物理缺陷%測試效率%測試圖形%測試生成
전류측량%전류전감기%전류측시%심아미미%가측성설계%고장모형%집성전로측시IDDQ측시%물리결함%측시효솔%측시도형%측시생성
基于稳态电流测试方法的IDDQ测试,因其故障覆盖率高,在集成电路测试中得以广泛应用.IDDQ测试的概念比较简单,但实现并不容易,特别是当今SOC和深亚微米技术的影响使得其实现更为复杂,有必要作以全面、系统化的研究.本文的第1节概括地总结了IDDQ测试的发展和目前的现状,对IDDQ测试广泛应用的原因作了阐述.第2节论述的是测试机理,同时用一些重要的术语和数据来说明深亚微米等技术对IDDQ测试的影响.第3节研究的是适于IDDQ测试的各种电流测量方法和结构.第4节深入地研究了CMOS电路中的物理缺陷及其电流测试方法,并用大量的图文数据作以详细说明.第5节讨论的是IDDQ测试的测试图形生成方法.第6节对深亚微米技术对IDDQ测试的影响以及测试中要注意的问题作了说明.
基于穩態電流測試方法的IDDQ測試,因其故障覆蓋率高,在集成電路測試中得以廣汎應用.IDDQ測試的概唸比較簡單,但實現併不容易,特彆是噹今SOC和深亞微米技術的影響使得其實現更為複雜,有必要作以全麵、繫統化的研究.本文的第1節概括地總結瞭IDDQ測試的髮展和目前的現狀,對IDDQ測試廣汎應用的原因作瞭闡述.第2節論述的是測試機理,同時用一些重要的術語和數據來說明深亞微米等技術對IDDQ測試的影響.第3節研究的是適于IDDQ測試的各種電流測量方法和結構.第4節深入地研究瞭CMOS電路中的物理缺陷及其電流測試方法,併用大量的圖文數據作以詳細說明.第5節討論的是IDDQ測試的測試圖形生成方法.第6節對深亞微米技術對IDDQ測試的影響以及測試中要註意的問題作瞭說明.
기우은태전류측시방법적IDDQ측시,인기고장복개솔고,재집성전로측시중득이엄범응용.IDDQ측시적개념비교간단,단실현병불용역,특별시당금SOC화심아미미기술적영향사득기실현경위복잡,유필요작이전면、계통화적연구.본문적제1절개괄지총결료IDDQ측시적발전화목전적현상,대IDDQ측시엄범응용적원인작료천술.제2절논술적시측시궤리,동시용일사중요적술어화수거래설명심아미미등기술대IDDQ측시적영향.제3절연구적시괄우IDDQ측시적각충전류측량방법화결구.제4절심입지연구료CMOS전로중적물리결함급기전류측시방법,병용대량적도문수거작이상세설명.제5절토론적시IDDQ측시적측시도형생성방법.제6절대심아미미기술대IDDQ측시적영향이급측시중요주의적문제작료설명.
