富磷熔体中生长的φ100 mm掺硫InP单晶研究
부린용체중생장적φ100 mm참류InP단정연구
Study on φ100 mm S-doped InP Single Crystal Grown from P-rich Melt
  • 万方数据
    固体电子学研究与进展 고체전자학연구여진전
    RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
    2004年 1期 134-137 ,共4页

    周晓龙%安娜%孙聂枫%徐永强%杨光耀%谢德良%刘二海%李光平%周智慧%董彦辉%孙同年

    주효룡%안나%손섭풍%서영강%양광요%사덕량%류이해%리광평%주지혜%동언휘%손동년

    磷化铟%富磷%扫描光荧光谱%位错密度 燐化銦%富燐%掃描光熒光譜%位錯密度
    린화인%부린%소묘광형광보%위착밀도
    采用原位磷注入合成法在高压单晶炉内合成富磷的磷化铟(InP)熔体,并利用液封直拉法(LEC)生长出了φ100 mm InP掺硫单晶材料.对富磷单晶分别用快速扫描光荧光谱技术、腐蚀金相法和扫描电镜进行了研究.结果表明在富磷量足够大的情况下,晶片上会出现孔洞,并对孔洞周围位错的形成原因及分布进行了分析.φ100 mm InP单晶的平均位错密度也没有明显的增加,为今后生长更大尺寸的完整InP单晶奠定了良好的基础.
    채용원위린주입합성법재고압단정로내합성부린적린화인(InP)용체,병이용액봉직랍법(LEC)생장출료φ100 mm InP참류단정재료.대부린단정분별용쾌속소묘광형광보기술、부식금상법화소묘전경진행료연구.결과표명재부린량족구대적정황하,정편상회출현공동,병대공동주위위착적형성원인급분포진행료분석.φ100 mm InP단정적평균위착밀도야몰유명현적증가,위금후생장경대척촌적완정InP단정전정료량호적기출.
    원문보기 원문다운로드 사이트로이동
저자의 최근 논문